[发明专利]用于可调/可更换边缘耦合环的检测系统在审
申请号: | 201880035873.2 | 申请日: | 2018-05-21 |
公开(公告)号: | CN110692130A | 公开(公告)日: | 2020-01-14 |
发明(设计)人: | 乔恩·麦克切斯尼;王雨后;达蒙·蒂龙·格内蒂;亚历山大·帕特森 | 申请(专利权)人: | 朗姆研究公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/687;H01L21/683;H01J37/32 |
代理公司: | 31263 上海胜康律师事务所 | 代理人: | 李献忠;张静 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 边缘耦合 相机 致动器 衬底处理系统 控制器操作 衬底 径向外边缘 控制器调节 控制器通信 致动器调节 检测系统 竖直移动 状况信息 环位置 响应 配置 邻近 焦点 移动 | ||
1.一种衬底处理系统,其包括:
具有第一侧观察口的处理室;
设置在所述处理室中的基座;
围绕所述基座的衬里,所述衬里具有至少一个开口;
邻近所述基座设置的边缘耦合环,所述边缘耦合环包括当所述衬底被放置在基座上时位于所述衬底的径向外部边缘的外部并围绕所述衬底的径向外部边缘的第一部分;
致动器,其被配置成相对于(i)所述衬底和(ii)所述边缘耦合环的位于所述第一部分的径向内侧的第二部分选择性地移动所述边缘耦合环的第一部分,以改变所述边缘耦合环的边缘耦合轮廓,其中,所述致动器被配置成将第一部分移动到至少一个位置,在该位置,所述第一部分的上表面在所述衬底的上表面上方;和
检测器系统,其被配置为检测所述边缘耦合环的状况,该检测器系统包括:
相机,其被配置为穿过所述第一观察口获得所述边缘耦合环的面向等离子体的表面的图像数据;和
第一控制器,其被配置为接收所述图像数据并确定所述边缘耦合环的所述面向等离子体的表面的状况和位置中的至少一个。
2.根据权利要求1所述的衬底处理系统,其中,所述检测器系统还包括照明装置,所述照明装置被配置为向所述相机提供光以获取所述边缘耦合环的所述图像数据。
3.根据权利要求2所述的衬底处理系统,其中,所述照明装置通过所述第一观察口提供光。
4.根据权利要求2所述的衬底处理系统,其中,所述处理室包括第二观察口,并且其中,所述照明装置通过所述第二观察口提供光。
5.根据权利要求1所述的衬底处理系统,其还包括:
气体输送系统,其构造成将处理气体和载气输送到所述处理室;和
等离子体发生器,其被配置为在所述处理室中产生等离子体以蚀刻所述衬底。
6.根据权利要求5所述的衬底处理系统,其中,所述等离子体发生器为所述相机提供光,以获取所述边缘耦合环的图像数据。
7.根据权利要求1所述的衬底处理系统,其中,所述致动器响应于表明所述边缘耦合环的所述面向等离子体的表面被腐蚀的状况而相对于所述衬底竖直地移动所述边缘耦合环。
8.根据权利要求1所述的衬底处理系统,其中,所述致动器响应于表明所述边缘耦合环未对准的状况而相对于所述衬底水平地移动所述边缘耦合环。
9.根据权利要求1所述的衬底处理系统,其中,所述致动器响应于表明所述边缘耦合环未对准的状况而相对于所述衬底竖直地移动所述边缘耦合环的所述第一部分。
10.根据权利要求1所述的衬底处理系统,其还包括第二控制器,所述第二控制器被配置为响应于所述第一控制器以控制所述致动器,从而选择性地移动所述边缘耦合环的所述第一部分。
11.根据权利要求10所述的衬底处理系统,其中,所述第二控制器被配置为响应于所述边缘耦合环的充分腐蚀的确定来实现所述边缘耦合环的更换。
12.根据权利要求1所述的衬底处理系统,其中,将所述相机瞄准所述边缘耦合环以获得所述图像数据。
13.根据权利要求1所述的衬底处理系统,其还包括布置在所述基座上的静电卡盘(ESC),其中,将所述相机瞄准所述衬底和所述ESC中的至少一个,以获得所述图像数据。
14.根据权利要求1所述的衬底处理系统,其中,所述图像数据包括所述边缘耦合环的相对于所述衬里中的所述至少一个开口的区段的图像数据,并且其中,所述第一控制器计算所述边缘耦合环的所述区段和所述至少一个开口的顶部之间的高度,以确定边缘耦合环的状况和位置中的至少一个。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造