[发明专利]重复者缺陷检测有效
申请号: | 201880036421.6 | 申请日: | 2018-06-04 |
公开(公告)号: | CN110709973B | 公开(公告)日: | 2023-10-03 |
发明(设计)人: | A·马修;E·希夫林;S·森;S·钱德拉塞卡安;高理升;B·布拉尔 | 申请(专利权)人: | 科磊股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;G01N21/88 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 刘丽楠 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 重复 缺陷 检测 | ||
1.一种用于检测重复者缺陷的方法,其包括:
执行晶片的整个表面的热扫描检验;
将来自所述热扫描检验的缺陷的位置存储到存储媒体,其中所述存储媒体是永久存储装置、随机存取存储器或分离数据库;
使用处理器,确定重复者缺陷检测的坐标;
基于重复者缺陷检测的所述坐标检验所述晶片;
使用所述处理器,分析重复者缺陷;及
从所述存储媒体检索对应于所述重复者缺陷的缺陷记录。
2.根据权利要求1所述的方法,其中将基于区块的虚拟检验器虚拟分析器用于所述存储媒体。
3.根据权利要求1所述的方法,其中将本地存储装置用于所述存储媒体。
4.根据权利要求1所述的方法,其进一步包括在所述检索之后释放所述存储媒体中的空间。
5.根据权利要求1所述的方法,其进一步包括在所述确定之前将所述缺陷的坐标保存在共享存储器中。
6.根据权利要求1所述的方法,其中使用第一晶片上的两个不同位置及第二晶片上的两个不同位置处的光罩使第一裸片及第二裸片各自成像,所述方法进一步包括:
通过以下操作计算第一晶片阶中的第一晶片差异图像:
使用所述处理器,计算所述第一晶片上的第二位置处的所述第一裸片及所述第二裸片的差异图像;
使用所述处理器,计算所述第一晶片上的所述第二位置处的所述第一裸片及所述第一晶片上的第一位置处的所述第二裸片的差异图像;及
使用所述处理器,计算所述第一晶片阶的所述两个差异图像的所述第一晶片差异图像;
通过以下操作计算第二晶片阶中的第二晶片差异图像:
使用所述处理器,计算所述第二晶片上的第二位置处的所述第一裸片及所述第二裸片的差异图像;
使用所述处理器,计算所述第一晶片上的所述第二位置处的所述第一裸片及所述第二晶片上的第一位置处的所述第二裸片的差异图像;及
使用所述处理器,计算所述第二晶片阶的所述两个差异图像的所述第二晶片差异图像;
使用所述处理器,使用基于坐标的缺陷源分析找到所述第一晶片差异图像中的系统性缺陷;
使用所述处理器,从所述第二晶片差异图像减去所述第一晶片差异图像中的所述系统性缺陷;及
使用所述处理器,在所述相减之后确定所述第二晶片差异图像中的所关注缺陷的存在。
7.根据权利要求1所述的方法,其中使用第一晶片上的两个不同位置及第二晶片上的两个不同位置处的光罩使第一裸片及第二裸片各自成像,所述方法进一步包括:
通过以下操作计算第一晶片阶中的第一晶片差异图像:
使用所述处理器,计算所述第一晶片上的第二位置处的所述第一裸片及所述第二裸片的差异图像;
使用所述处理器,计算所述第一晶片上的所述第二位置处的所述第一裸片及所述第一晶片上的第一位置处的所述第二裸片的差异图像;及
使用所述处理器,计算所述第一晶片阶的所述两个差异图像的所述第一晶片差异图像;
通过以下操作计算第二晶片阶中的第二晶片差异图像:
使用所述处理器,计算所述第二晶片上的第二位置处的所述第一裸片及所述第二裸片的差异图像;
使用所述处理器,计算所述第一晶片上的所述第二位置处的所述第一裸片及所述第二晶片的第一位置处的所述第二裸片的差异图像;及
使用所述处理器,计算所述第二晶片阶的所述两个差异图像的所述第二晶片差异图像;
使用所述处理器,从所述第一晶片差异图像减去所述第二晶片差异图像;及
使用所述处理器,在所述相减之后确定所述第二晶片差异图像中的所关注缺陷的存在。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造