[发明专利]激光二极管和用于制造激光二极管的方法

权利要求书

1.一种激光二极管(1)，所述激光二极管包括：

-表面发射的半导体激光器(10)，所述半导体激光器设置用于发射电磁辐射(E)；

-光学元件(20)，所述光学元件沿放射方向(L)设置在所述半导体激光器(10)下游，

-掩模(25)，和

其中

-所述光学元件(20)包括衍射结构或元光学结构或透镜结构，

-所述光学元件(20)和所述半导体激光器(10)材料配合地彼此连接，

-所述光学元件(20)和所述半导体激光器(10)借助于连接机构(50)彼此材料配合地连接，并且

-所述连接机构(50)将所述半导体激光器(10)和所述光学元件(20)沿横向方向(R)包围，

-所述掩模(25)沿竖直方向在所述光学元件(20)和所述半导体激光器(10)之间构成，并且

-所述掩模(25)设置用于产生象形图。

2.根据权利要求1所述的激光二极管(1)，

其中所述光学元件(20)与表面发射的所述半导体激光器(10)的朝向所述光学元件(20)的辐射出射侧(10a)直接接触。

3.根据权利要求1或2所述的激光二极管(1)，

其中所述光学元件(20)由如下材料形成，所述材料具有与所述连接机构(50)相同的折射率。

4.根据权利要求3所述的激光二极管(1)，

其中在所述光学元件(20)和所述半导体激光器(10)之间的区域由非气态的材料填充。

5.根据权利要求1或2所述的激光二极管(1)，

其中所述光学元件(20)不完全地覆盖所述半导体激光器(10)的朝向所述光学元件的辐射出射侧(10a)。

6.根据权利要求1或2所述的激光二极管(1)，

其中所述光学元件(20)沿横向方向(R)与所述半导体激光器(10)齐平。

7.根据权利要求1或2所述的激光二极管(1)，

其中所述衍射结构或所述元光学结构或所述透镜结构与所述半导体激光器(10)的朝向所述光学元件(20)的辐射出射侧(10a)间隔开地设置。

8.根据权利要求1或2所述的激光二极管(1)，

其中仅在所述光学元件(20)的向外露出的面(1a)上设置有防反射层(8)。

9.根据权利要求1或2所述的激光二极管(1)，

其中在所述半导体激光器(10)的朝向所述光学元件(20)的面(1a)上设置有电接触面(4)，并且所述接触面(4)不由所述光学元件(20)覆盖。

10.根据权利要求1或2所述的激光二极管(1)，

其中所述半导体激光器(10)仅在背离所述光学元件(20)的侧上具有电接触面(4)。

11.根据权利要求1所述的激光二极管(1)，所述激光二极管具有间隔保持件(51)，

其中

-所述间隔保持件(51)沿竖直方向设置在所述光学元件(20)和所述半导体激光器(10)之间，

-所述间隔保持件(51)构成为对于由所述半导体激光器发射的辐射是可穿透的，

-所述间隔保持件(51)设置用于设定在所述掩模(25)和所述半导体激光器(10)之间的预设的间距，并且

-所述半导体激光器(10)、所述间隔保持件(51)和所述光学元件(20)彼此材料配合地连接。