[发明专利]下层膜形成用材料、抗蚀剂下层膜、抗蚀剂下层膜的制造方法及层叠体

权利要求书

1.一种下层膜形成用材料，其用于形成多层抗蚀剂工艺所使用的抗蚀剂下层膜，

包含：具有下述通式(1)所示的重复结构单元[A]和下述通式(2)所示的重复结构单元[B]的环状烯烃聚合物，

所述环状烯烃聚合物中的所述结构单元[A]与所述结构单元[B]的摩尔比[A]/[B]为5/95以上95/5以下，

[化1]

所述通式(1)中，R¹～R⁴中的至少一个选自氢、碳原子数1～10的烷基、碳原子数6～20的芳基、碳原子数1～10的烷氧基、碳原子数6～20的芳氧基、碳原子数2～10的烷氧基烷基、碳原子数7～20的芳氧基烷基、碳原子数2～20的烷氧基羰基、碳原子数3～10的二烷基氨基羰基、碳原子数7～20的芳氧基羰基、碳原子数8～20的烷基芳基氨基羰基、碳原子数3～30的烷氧基羰基烷基、碳原子数8～30的烷氧基羰基芳基、碳原子数8～20的芳氧基羰基烷基、碳原子数3～20的烷氧基烷基氧基羰基和碳原子数4～30的烷氧基羰基烷基氧基羰基，R¹～R⁴可以彼此结合而形成环结构，n表示0～2的整数，

[化2]

所述通式(2)中，R⁵～R⁸中的至少一个选自氢、碳原子数1～10的烷基、碳原子数6～20的芳基、碳原子数1～10的烷氧基、碳原子数6～20的芳氧基、碳原子数2～10的烷氧基烷基、碳原子数7～20的芳氧基烷基、碳原子数2～20的烷氧基羰基、碳原子数3～10的二烷基氨基羰基、碳原子数7～20的芳氧基羰基、碳原子数8～20的烷基芳基氨基羰基、碳原子数3～30的烷氧基羰基烷基、碳原子数8～30的烷氧基羰基芳基、碳原子数8～20的芳氧基羰基烷基、碳原子数3～20的烷氧基烷基氧基羰基和碳原子数4～30的烷氧基羰基烷基氧基羰基，R⁵～R⁸可以彼此结合而形成环结构，n表示0～2的整数，X₁表示-O-或-S-。

2.根据权利要求1所述的下层膜形成用材料，

使用流变仪，在氮气气氛下、剪切模式、测定温度范围30～300℃、升温速度3℃/min、频率1Hz的条件下测定得到的所述环状烯烃聚合物的固体粘弹性中的、表示储能弹性模量(G’)曲线与损耗弹性模量(G”)曲线的交点的温度为40℃以上200℃以下。

3.根据权利要求1所述的下层膜形成用材料，

使用流变仪，在氮气气氛下、剪切模式、测定温度范围30～300℃、升温速度3℃/min、频率1Hz的条件下测定得到的所述下层膜形成用材料的固体粘弹性中的、表示储能弹性模量(G’)曲线与损耗弹性模量(G”)曲线的交点的温度为40℃以上200℃以下。

4.根据权利要求2或3所述的下层膜形成用材料，

所述固体粘弹性中的、表示储能弹性模量(G’)曲线与损耗弹性模量(G”)曲线的交点的温度为80℃以上200℃以下。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的下层膜形成用材料，

在将所述环状烯烃聚合物的整体设为100质量％时，通过下述方法1测定得到的所述环状烯烃聚合物中的挥发成分的产生量为0.0质量％以上1.0质量％以下，

方法1：将所述环状烯烃聚合物溶解于四氢呋喃来制作固体成分浓度为20质量％的溶液，在铝盘中称量所得的溶液，接着，在氮气气流下，在200℃加热3分钟来除去四氢呋喃，接着，冷却至室温，将所述环状烯烃聚合物固化，在氮气气氛下、30～300℃的温度范围，以10℃/min的升温速度对所述环状烯烃聚合物进行加热，由100～250℃的范围内的重量减少量算出所述环状烯烃聚合物中的所述挥发成分的产生量。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的下层膜形成用材料，

使用凝胶渗透色谱测定得到的所述环状烯烃聚合物的聚苯乙烯换算的重均分子量(Mw)为1000以上20000以下。