[发明专利]聚合物单片式电容器

权利要求书

1.一种在真空中形成的聚合物单片式电容器，该电容器包括：

多个聚合物介电层，以及

多个金属化的电极层，每个电极层具有重边缘，

其中至少一个聚合物介电层包括具有至少1.0的氢碳比和至少0.1的氧碳比的化学结构，

其中在有源电容器区域中，至少一个金属化的电极层的薄层电阻值在约10欧姆/方和100欧姆/方之间。

2.如权利要求1所述的聚合物单片式电容器，其中

至少满足以下条件之一：

(i)所述电容器在大于100℃的温度下的耗散系数小于0.02；以及

(ii)所述至少一个聚合物介电材料的玻璃转换温度为至少100℃。

3.权利要求1或2中任一项所述的聚合物单片式电容器，其中所述至少一个聚合物介电层具有至少1.2的氢碳比的化学结构。

4.如权利要求1、2或3中任一项所述的聚合物单片式电容器，其中所述金属化的电极层具有重边缘，该重边缘的薄层电阻值小于10欧姆/方。

5.如权利要求1、2、3或4中任一项所述的聚合物单片式电容器，其中所述金属化的电极层具有重边缘，该重边缘的薄层电阻值小于5欧姆/方。

6.如权利要求1、2、3、4或5中任一项所述的聚合物单片式电容器，其中金属化的电极层在有源电容器区域中的薄层电阻值在从约100欧姆/方到约500欧姆/方的范围内。

7.如权利要求1、2、3、4、5或6中任一项所述的聚合物单片式电容器，其特征在于，在25℃下的损耗因子大于0.02。

8.如权利要求1、2、3、4、5、6或7中任一项所述的聚合物单片式电容器，其中所述多个聚合物介电层中的每一层包括具有至少1.0的氢碳比和至少0.1的氧碳比的化学结构。

9.如权利要求1、2、3、4、5、6、7或8中任一项所述的聚合物单片式电容器，其中，在超过140℃的温度下，耗散因子小于0.02。

10.如权利要求9所述的聚合物单片式电容器，其中，在超过140℃的温度下，耗散因子小于0.01。

11.如权利要求1至10中的任一项所述的聚合物单片式电容器，其中所述多个聚合物介电层中的聚合物介电层具有大于140℃的玻璃转换温度。

12.如权利要求1至11中的任一项所述的聚合物单片式电容器，包括串联构造的两个或更多个内部电连接。

13.如权利要求1至12中的任一项所述的聚合物单片式电容器，其中所述电容器具有横向维度为L、W和H的棱柱形，其中L表示电容器的第一范围，电容器沿着该第一范围配备有电气端接，W表示电容器的第二范围，并且H表示电容器在所述聚合物介电层和金属化的电极层堆叠的方向上的第三范围，并且其中所述第一范围与所述第二范围的比大于1。

14.如权利要求13所述的聚合物单片式电容器，其中所述比大于2。

15.一种制造品，其包括如权利要求1或2中的任一项所述的聚合物单片式电容器。