[发明专利]使用沉积-处理-蚀刻工艺的硅的选择性沉积

权利要求书

1.一种选择性沉积膜的方法，所述方法包含以下步骤：

将具有第一表面和第二表面的基板暴露至硅烷及沉积等离子体，以在所述第一表面及所述第二表面上沉积硅膜，所述硅膜在所述第一表面上及所述第二表面上具有结晶度差异；

将所述硅膜暴露至处理等离子体，以增加所述第一表面与所述第二表面上的所述硅膜之间的所述结晶度差异，所述处理等离子体包含Ar、He或H₂中的一者或更多者的等离子体；

从所述第一表面及所述第二表面蚀刻所述膜，以从所述第二表面实质上移除所有的所述膜，且在所述第一表面上留下至少一些所述硅膜；及

重复所述沉积、处理及蚀刻的步骤，以选择性地在所述第一表面上而非在所述第二表面上形成膜。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述基板的所述第一表面基本上由硅组成。

3.如权利要求1所述的方法，其中所述基板的所述第二表面包含氧化硅、氮化硅、玻璃或金属中的一者或更多者。

4.如权利要求1所述的方法，其中所述硅烷包含具有Si_nH_2n+2的通式的至少一种物质。

5.如权利要求3所述的方法，其中所述硅烷基本上由SiH₄组成。

6.如权利要求3所述的方法，其中所述硅烷基本上由Si₂H₆组成。

7.如权利要求1所述的方法，其中所述硅烷基本上由SiH₂Cl₂(二氯硅烷或DCS)组成。

8.如权利要求1所述的方法，其中所述沉积等离子体包含Ar、He、H₂或N₂中的一者或更多者。

9.如权利要求1所述的方法，其中在沉积之后，所述硅膜的结晶度在所述第一表面上及所述第二表面上是不同的。

10.如权利要求1所述的方法，其中所述处理等离子体基本上由电容耦合等离子体组成。

11.如权利要求1所述的方法，其中所述处理等离子体基本上由电感耦合等离子体组成。

12.如权利要求1所述的方法，其中在处理之后，所沉积的硅膜的结晶度在所述第一表面上及所述第二表面上是不同的。

13.如权利要求1所述的方法，其中所述膜使用热蚀刻工艺来蚀刻。

14.如权利要求1所述的方法，其中所述膜使用等离子体蚀刻工艺来蚀刻。

15.如权利要求14所述的方法，其中所述等离子体蚀刻工艺利用电容耦合等离子体。

16.如权利要求14所述的方法，其中所述等离子体蚀刻工艺利用电感耦合等离子体。

17.如权利要求14所述的方法，其中所述膜通过等离子体蚀刻，所述等离子体包含H₂、HCl、Cl₂或NF₃。

18.如权利要求17所述的方法，其中所述膜通过等离子体蚀刻，所述等离子体基本上由氢组成。