[发明专利]硫化物固体电解质的制造方法

权利要求书

1.一种硫化物固体电解质的制造方法，其特征在于，所述硫化物固体电解质具有硫银锗矿型晶体结构，包括锂、磷、硫以及卤素，

将作为原料使用的硫化锂、硫化磷、单体硫以及卤化锂的摩尔比设为40～60：10～20：0.5～10：25～50，将相对于所述硫化磷与所述单体硫的合计质量的磷含量调整至27.8质量％以下。

2.如权利要求1所述的硫化物固体电解质的制造方法，其特征在于，磷含量相对于所述硫化磷与单体硫的合计质量为27.7质量％以下。

3.如权利要求1或2所述的硫化物固体电解质的制造方法，其特征在于，

所述硫化磷不包含游离硫。

4.如权利要求1或2所述的硫化物固体电解质的制造方法，其特征在于，关于所述硫化磷，将满足下述式(1)的硫化磷用于原料，

0≤100×B/A≤46.0 (1)

在式(1)中，B/A根据峰的面积A以及面积B求出，

面积A：在溶液³¹PNMR光谱解析中，在-201ppm以上201ppm以下的范围内所测量的所有峰的峰面积的合计，

面积B：同样在溶液³¹PNMR光谱解析中，在57.2ppm以上58.3ppm以下、以及63.0ppm以上64.5ppm以下的范围内出现的峰即源自P₄S₉的峰面积。

5.如权利要求1或2所述的硫化物固体电解质的制造方法，其特征在于，关于所述硫化磷，将满足下述式(2)的硫化磷用于原料，

38.0≤100×C/A≤100 (2)

在式(2)中，C/A根据峰的面积A以及面积C求出，

面积A：在溶液³¹PNMR光谱解析中，在-201ppm以上201ppm以下的范围内所测量的所有峰的峰面积的合计，

面积C：同样在溶液³¹PNMR光谱解析中，在56.6ppm以上57.1ppm以下的范围内出现的峰即源自P₄S₁₀的峰面积。

6.如权利要求1或2所述的硫化物固体电解质的制造方法，其特征在于，关于所述硫化磷，将满足下述式(3)的硫化磷用于原料，

0≤100×D/A≤3 (3)

在式(3)中，D/A根据峰的面积A以及面积D求出，

面积A：在溶液³¹PNMR光谱解析中，在-201ppm以上201ppm以下的范围内所测量的所有峰的峰面积的合计，

面积D：同样在溶液³¹PNMR光谱解析中，在84.0ppm以上86.0ppm以下、以及110.0ppm以上113.0ppm以下的范围内出现的峰即源自P₄S₇的峰面积。

7.如权利要求1或2所述的硫化物固体电解质的制造方法，其特征在于，关于所述硫化磷，将满足下述式(4)的硫化磷用于原料，

0≤100×E/A≤20 (4)

在式(4)中，E/A根据峰的面积A以及面积E求出，

面积A：在溶液³¹PNMR光谱解析中，在-201ppm以上201ppm以下的范围内所测量的所有峰的峰面积的合计，

面积E：下述E₁与E₂的峰面积的合计，

面积E₁：同样在溶液³¹PNMR光谱解析中，在18.0ppm以上20.0ppm以下、46.0ppm以上49.0ppm以下、79.0ppm以上81.0ppm以下、以及90.0ppm以上92.0ppm以下的范围内出现的峰即源自PPS的峰面积的合计，所述PPS为多硫化磷即结构不明的聚合物状硫化磷，

面积E₂：在-201ppm以上201ppm以下的范围中，在与上述B、C、D、E₁相当的范围以外的范围内出现的峰的峰面积的合计。