[发明专利]水处理用多孔膜在审
申请号: | 201880037319.8 | 申请日: | 2018-05-29 |
公开(公告)号: | CN110709156A | 公开(公告)日: | 2020-01-17 |
发明(设计)人: | 平井悠佑;釜田规;松山秀人;方立峰;王圣瑶 | 申请(专利权)人: | 株式会社钟化 |
主分类号: | B01D71/30 | 分类号: | B01D71/30;B01D71/42;C08F220/44;C08J9/26 |
代理公司: | 11105 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 沈雪 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 质量份 改性聚丙烯腈 系共聚物 丙烯酸系聚合物 多孔膜 丙烯酸系共聚物 偏二卤乙烯 乙烯基单体 卤素单体 丙烯腈 非溶剂 离子性 良溶剂 卤乙烯 凝固 溶解 制作 | ||
1.一种多孔膜,其由改性聚丙烯腈系共聚物构成,
在将构成改性聚丙烯腈系共聚物的全部结构单元设为100质量份的情况下,所述改性聚丙烯腈系共聚物包含来自丙烯腈的结构单元15质量份以上且85质量份以下、来自选自卤乙烯及偏二卤乙烯中的一种以上含卤素单体的结构单元15质量份以上且85质量份以下、以及来自具有离子性取代基的乙烯基单体的结构单元0质量份以上且10质量份以下。
2.根据权利要求1所述的多孔膜,其中,在将构成改性聚丙烯腈系共聚物的全部结构单元设为100质量份的情况下,所述改性聚丙烯腈系共聚物包含来自丙烯腈的结构单元大于50质量份且70质量份以下、来自选自卤乙烯及偏二卤乙烯中的一种以上含卤素单体的结构单元30质量份以上且小于50质量份。
3.根据权利要求1所述的多孔膜,其中,在将构成改性聚丙烯腈系共聚物的全部结构单元设为100质量份的情况下,所述改性聚丙烯腈系共聚物包含来自丙烯腈的结构单元15质量份以上且84.5质量份以下、来自选自卤乙烯及偏二卤乙烯中的一种以上含卤素单体的结构单元15质量份以上且84.5质量份以下、以及来自具有离子性取代基的乙烯基单体的结构单元0.5质量份以上且5质量份以下。
4.根据权利要求1或3所述的多孔膜,其中,所述具有离子性取代基的乙烯基单体中的离子性取代基为强电解型阴离子性取代基。
5.根据权利要求1、3及4中任一项所述的多孔膜,其中,所述具有离子性取代基的乙烯基单体中的离子性取代基为磺酸基。
6.根据权利要求1~5中任一项所述的多孔膜,其中,所述含卤素单体为选自氯乙烯及偏二氯乙烯中的一种以上。
7.根据权利要求1~6中任一项所述的多孔膜,其中,所述多孔膜为选自中空线状、平膜状、螺旋状、褶状及管状中的一种形状。
8.权利要求1~7中任一项所述的多孔膜的制造方法,该制造方法包括:
使将改性聚丙烯腈系共聚物溶解于良溶剂而得到的改性聚丙烯腈系共聚物溶液与改性聚丙烯腈系共聚物的非溶剂接触,使其凝固,由此得到多孔膜,
在将构成改性聚丙烯腈系共聚物的全部结构单元设为100质量份的情况下,所述改性聚丙烯腈系共聚物包含来自丙烯腈的结构单元15质量份以上且85质量份以下、来自选自卤乙烯及偏二卤乙烯中的一种以上含卤素单体的结构单元15质量份以上且85质量份以下、以及来自具有离子性取代基的乙烯基单体的结构单元0质量份以上且10质量份以下。
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