[发明专利]封装膜

权利要求书

1.一种用于有机电子元件的封装膜，包括：包含水分吸附剂的封装层；形成在所述封装层上并且具有50W/m·K至800W/m·K的热导率的金属层；和形成在所述金属层上并且包含磁性颗粒的磁性层。

2.根据权利要求1所述的用于有机电子元件的封装膜，还包括树脂层，其中所述树脂层形成在所述磁性层与所述金属层之间或者形成在所述封装层与所述金属层之间。

3.根据权利要求2所述的用于有机电子元件的封装膜，其中所述树脂层包含水分吸附剂。

4.根据权利要求1所述的用于有机电子元件的封装膜，还包括形成在所述磁性层上并且具有50W/m·K至800W/m·K的热导率的金属层。

5.根据权利要求1所述的用于有机电子元件的封装膜，还包括形成在所述磁性层上的保护层。

6.根据权利要求5所述的用于有机电子元件的封装膜，还包括形成在所述磁性层与所述保护层之间的粘合剂层。

7.根据权利要求1所述的用于有机电子元件的封装膜，其中所述金属层的厚度在3μm至200μm的范围内。

8.根据权利要求1所述的用于有机电子元件的封装膜，其中所述金属层包含金属、金属氧化物、金属氮化物、金属碳化物、金属氮氧化物、金属硼氧化物、及其配制物中的任一者。

9.根据权利要求1所述的用于有机电子元件的封装膜，其中所述金属层包含铁、铬、铝、铜、镍、铁氧化物、铬氧化物、硅氧化物、铝氧化物、钛氧化物、铟氧化物、锡氧化物、铟锡氧化物、钽氧化物、锆氧化物、铌氧化物、及其配制物中的任一者。

10.根据权利要求1所述的用于有机电子元件的封装膜，其中所述磁性层包含粘结剂树脂。

11.根据权利要求10所述的用于有机电子元件的封装膜，其中相对于100重量份的所述磁性颗粒，所述粘结剂树脂以5重量份至30重量份的量包含在内。

12.根据权利要求1所述的用于有机电子元件的封装膜，其中所述磁性颗粒包括Cr、Fe、Pt、Mn、Zn、Cu、Co、Sr、Si、Ni、Ba、Cs、K、Ra、Rb、Be、Y、B、其合金或其氧化物。

13.根据权利要求1所述的用于有机电子元件的封装膜，其中所述磁性层的厚度在5μm至200μm的范围内。

14.根据权利要求1所述的用于有机电子元件的封装膜，其中所述封装层由单层或者两个或更多个层形成。

15.根据权利要求1所述的用于有机电子元件的封装膜，其中所述封装层包含封装树脂。

16.根据权利要求1所述的用于有机电子元件的封装膜，其中所述水分吸附剂为化学反应性吸附剂。

17.根据权利要求1所述的用于有机电子元件的封装膜，其中所述封装层封装形成在基底上的有机电子元件的整个表面。

18.根据权利要求1所述的用于有机电子元件的封装膜，还包含亮点抑制剂，所述亮点抑制剂的根据通过密度泛函理论计算的对排气的吸附能为0eV或更小。

19.根据权利要求18所述的用于有机电子元件的封装膜，其中所述封装层包括接触有机电子元件的第一层和不接触所述有机电子元件的第二层，以及所述亮点抑制剂包含在所述第二层或所述磁性层中。