[发明专利]封装膜

权利要求书

1.一种用于有机电子元件的封装膜，包括：包含水分吸附剂的封装层；形成在所述封装层上并且包含磁性颗粒的磁性层；和形成在所述磁性层上并且具有50 W/m·K至800 W/m·K的热导率的金属层，

其中所述封装膜还包含亮点抑制剂，所述亮点抑制剂的根据通过密度泛函理论计算的对排气的吸附能为0 eV或更小，

其中相对于100重量份的所述磁性颗粒，所述封装膜包含1重量份至120重量份的亮点抑制剂，

其中所述亮点抑制剂包括Ni、Zn、In、Pt、Pd、Fe、Cr或其氧化物或氮化物、或其合金，其中所述亮点抑制剂的粒径在10 nm至30 μm的范围内，

其中所述排气为选自H原子、氢气、氨气、H⁺、NH²⁺、NHR₂和NH₂R中的至少一者，其中R为有机基团。

2.根据权利要求1所述的用于有机电子元件的封装膜，还包括树脂层，其中所述树脂层形成在所述磁性层与所述金属层之间、或所述封装层与所述磁性层之间。

3.根据权利要求2所述的用于有机电子元件的封装膜，其中所述树脂层包含水分吸附剂。

4.根据权利要求1所述的用于有机电子元件的封装膜，还包括形成在所述金属层上的保护层。

5.根据权利要求4所述的用于有机电子元件的封装膜，还包括形成在所述金属层与所述保护层之间的粘合剂层。

6.根据权利要求1所述的用于有机电子元件的封装膜，其中所述金属层的厚度在3 μm至200 μm的范围内。

7.根据权利要求1所述的用于有机电子元件的封装膜，其中所述金属层包含以下中的任一者：金属、金属氧化物、金属氮化物、金属碳化物、金属氮氧化物、金属硼氧化物、及其组合。

8.根据权利要求1所述的用于有机电子元件的封装膜，其中所述金属层包含以下中的任一者：铁、铬、铝、铜、镍、铁氧化物、铬氧化物、硅氧化物、铝氧化物、钛氧化物、铟氧化物、锡氧化物、铟锡氧化物、钽氧化物、锆氧化物、铌氧化物、及其组合。

9.根据权利要求1所述的用于有机电子元件的封装膜，其中所述磁性层包含粘结剂树脂。

10.根据权利要求9所述的用于有机电子元件的封装膜，其中相对于100重量份的所述磁性颗粒，所述粘结剂树脂以5重量份至30重量份的量包含在内。

11.根据权利要求1所述的用于有机电子元件的封装膜，其中所述磁性颗粒包含Cr、Fe、Pt、Mn、Zn、Cu、Co、Sr、Si、Ni、Ba、Cs、K、Ra、Rb、Be、Y、B、其合金或其氧化物。

12.根据权利要求1所述的用于有机电子元件的封装膜，其中所述磁性层的厚度在5 μm至200 μm的范围内。

13.根据权利要求1所述的用于有机电子元件的封装膜，其中所述封装层由单个层或者两个或更多个层形成。

14.根据权利要求1所述的用于有机电子元件的封装膜，其中所述封装层包含封装树脂。

15.根据权利要求1所述的用于有机电子元件的封装膜，其中所述水分吸附剂为化学反应性吸附剂。

16.根据权利要求1所述的用于有机电子元件的封装膜，其中所述封装层封装形成在基底上的有机电子元件的整个表面。