[发明专利]具备吸附力控制的静电吸附基板支撑件

权利要求书

1.一种用于处理基板的方法，所述方法包含：

将所述基板定位在基板支撑件的有图案的表面上，所述基板支撑件包括介电材料，所述介电材料具有穿过该介电材料形成的传感器开口，其中所述基板支撑件被设置在处理腔室的处理容积中且所述传感器开口中的透明插入件将所述传感器开口与所述处理容积隔离；

对设置在所述基板支撑件中的吸附电极施加吸附电压；

将气体流通至设置在所述基板和所述基板支撑件之间的背侧容积中；

通过设置在所述传感器开口中的传感器来监测所述基板的偏斜量，其中所述传感器与所述透明插入件间隔开并透过所述透明插入件进行感测；以及

基于所述基板的所述偏斜量来改变吸附参数。

2.如权利要求1所述的方法，其中改变吸附参数包含改变所述吸附电压、改变所述背侧容积中的所述气体的压力、或两者。

3.如权利要求1所述的方法，其中监测所述基板的所述偏斜量包括测量由所述基板的表面所反射的辐射的波长、相位、强度、频率、带宽、干涉图案、或以上的组合。

4.如权利要求3所述的方法，其中监测所述基板的所述偏斜量包括测量由所述基板的所述表面所反射的所述辐射的所述强度。

5.如权利要求3所述的方法，其中监测所述基板的所述偏斜量包括利用传感器，所述传感器至少部分地设置在所述基板支撑件中。

6.如权利要求5所述的方法，其中该传感器包含辐射源、辐射检测器、以及多个光纤，并且其中所述多个光纤的末端被设置在所述基板支撑件中形成的开口中。

7.一种计算机可读取介质，所述计算机可读取介质具有存储在所述计算机可读取介质上的指令，所述指令用于：

一种用于处理基板的方法，所述方法包含：

将所述基板定位在基板支撑件的有图案的表面上，所述基板支撑件包括介电材料，所述介电材料具有穿过该介电材料形成的传感器开口，其中所述基板支撑件被设置在处理腔室的处理容积中且所述传感器开口中的透明插入件将所述传感器开口与所述处理容积隔离；

对设置在所述基板支撑件中的吸附电极施加吸附电压；

将气体流通至设置在所述基板和所述基板支撑件之间的背侧容积中；

通过设置在所述传感器开口中的传感器来监测所述基板的偏斜量，其中所述传感器与所述透明插入件间隔开并透过所述透明插入件进行感测；以及

基于所述基板的所述偏斜量来改变吸附参数。

8.如权利要求7所述的计算机可读取介质，其中改变吸附参数包含改变所述吸附电压、改变所述背侧容积中的所述气体的压力、或两者。

9.如权利要求7所述的计算机可读取介质，其中监测所述基板的所述偏斜量包括测量由所述基板的表面所反射的辐射的波长、相位、强度、频率、带宽、干涉图案、或以上的组合。

10.如权利要求9所述的计算机可读取介质，其中监测所述基板的所述偏斜量包括测量由所述基板的所述表面所反射的所述辐射的所述强度。

11.如权利要求10所述的计算机可读取介质，其中所述传感器包含辐射源、辐射检测器、以及多个光纤，并且其中所述多个光纤的末端被设置在所述基板支撑件中形成的开口中。

12.一种用于处理基板的设备，包含：

基板支撑件，所述基板支撑件包含介电材料和有图案的表面，所述介电材料具有穿过该介电材料形成的传感器开口，所述有图案的表面具有从所述有图案的表面的凹陷表面延伸出的升高特征，其中所述升高特征的接触基板表面面积比待处理的基板的非装置侧表面面积的30％更小；以及

传感器，所述传感器至少部分地设置在所述基板支撑件中、在所述传感器开口中，在所述传感器开口中有透明插入件，其中所述传感器与所述传感器开口中的所述透明插入件间隔开并透过所述透明插入件进行感测，所述传感器被配置以监测其上被施加吸附力的待处理的基板的偏斜量。