[发明专利]半导体层、振荡元件以及半导体层的制造方法

权利要求书

1.一种半导体层，其特征在于，

包括将通过使氧化铝膜含有过量的铝而形成施主能级的n型半导体、与通过使氧化铝膜含有过量的氧而形成受主能级的p型半导体接合而成的pn结。

2.一种半导体层，其特征在于，

包括通过使氧化铝膜含有过量的氧而形成受主能级的p型半导体。

3.一种半导体层的制造方法，其特征在于，

使金属铝与氧化铝膜的一个表面接触，使探针与上述氧化铝膜的另一个表面接触，在大气中、含氧气体中或者氧气中，在作为阳极的上述金属铝与作为阴极的上述探针之间施加产生上述氧化铝膜的介电击穿的电压，使上述氧化铝膜熔融，

在上述熔融的期间，使上述氧化铝膜产生熔融盐电解反应并使其冷却，由此，在上述氧化铝膜的上述金属铝侧生成n型半导体层，在上述氧化铝膜的上述探针侧生成p型半导体层，并且，将上述n型半导体层与上述p型半导体层接合。

4.一种半导体层的制造方法，其特征在于，

使金属铝与氧化铝膜的一个表面接触，使探针与上述氧化铝膜的另一个表面接触，在大气中、气体中或者真空中，在作为阴极的上述金属铝与作为阳极的上述探针之间施加产生上述氧化铝膜的介电击穿的电压，使上述氧化铝膜熔融，

在上述熔融的期间，使上述氧化铝膜产生熔融盐电解反应并使其冷却，由此，在上述氧化铝膜的上述金属铝侧生成p型半导体层，在上述氧化铝膜的上述探针侧生成n型半导体层，并且，将上述n型半导体层与上述p型半导体层接合。

5.根据权利要求3或者4所述的半导体层的制造方法，其特征在于，

在使上述氧化铝膜产生熔融盐电解反应时，能够通过调整引起上述熔融盐电解反应的通电电量，来控制上述n型半导体的施主浓度或者上述p型半导体的受主浓度。

6.根据权利要求3～5的任一项所述的半导体层的制造方法，其特征在于，

在使上述氧化铝膜产生熔融盐电解反应时，使上述探针在与上述氧化铝膜接触的同时移动。

7.根据权利要求3～6的任一项所述的半导体层的制造方法，其特征在于，

当使上述探针在与上述氧化铝膜接触的同时移动时，使上述施加电压(1)连续地变化、(2)不连续地变化、(3)使极性在一方向或者两个方向上变化、或者组合上述(1)～(3)变化。

8.一种振荡元件，其特征在于，

包括将通过使氧化铝膜含有过量的铝而形成施主能级的n型半导体、与通过使氧化铝膜含有过量的氧而形成受主能级的p型半导体接合而成的pn结。

9.一种振荡元件的制造方法，其特征在于，

使金属铝与氧化铝膜的一个表面接触，使探针与上述氧化铝膜的另一个表面接触，在大气中、含氧气体中或者氧气中，在作为阳极的上述金属铝与作为阴极的上述探针之间施加产生上述氧化铝膜的介电击穿的电压，使上述氧化铝膜熔融，

在上述熔融的期间，使上述氧化铝膜产生熔融盐电解反应并使其冷却，由此，在上述氧化铝膜的上述金属铝侧生成n型半导体层，在上述氧化铝膜的上述探针侧生成p型半导体层，并且，将上述n型半导体层与上述p型半导体层接合，

通过上述接合形成的耗尽层的厚度为1nm以下。

10.一种振荡元件的制造方法，其特征在于，

使金属铝与氧化铝膜的一个表面接触，使探针与上述氧化铝膜的另一个表面接触，在大气中、气体中或者真空中，在作为阴极的上述金属铝与作为阳极的上述探针之间施加产生上述氧化铝膜的介电击穿的电压，使上述氧化铝膜熔融，

在上述熔融的期间，使上述氧化铝膜产生熔融盐电解反应并使其冷却，由此，在上述氧化铝膜的上述金属铝侧生成p型半导体层，在上述氧化铝膜的上述探针侧生成n型半导体层，并且，将上述n型半导体层与上述p型半导体层接合，

通过上述接合形成的耗尽层的厚度为1nm以下。

11.根据权利要求9或者10所述的振荡元件的制造方法，其特征在于，

当使上述氧化铝膜产生熔融盐电解反应时，使上述探针在与上述氧化铝膜接触的同时移动。