[发明专利]表面发射半导体激光器及感测模块

说明书

该表面发射半导体激光器设置有：第一发射区域，输出第一光；和第二发射区域，被设置成与第一发射区域分开、并且具有相移部，所述第二发射区域输出第二光。第一光的远场图与第二光的远场图彼此不同。

技术领域

本技术涉及一种具有多个发射区域的表面发射半导体激光器、及感测模块。

背景技术

每个具有多个发射区域的表面发射半导体激光器的正在发展(例如，参见专利文献1)。每个表面发射半导体激光器包括例如垂直空腔表面发射激光器(VCSEL)。

引用列表

专利文献

专利文献1：日本未经审查专利申请公开号2005-116933

发明内容

需要一种根据辐射角的方向减少光强度的差异并且使得远程模式(FFP)的强度分布更接近于均匀分布的表面发射半导体激光器。

因此，希望提供一种使得可以使远程模式的强度分布更接近于均匀分布的表面发射半导体激光器及包括表面发射半导体激光器的感测模块。

根据本技术的实施方式的第一表面发射半导体激光器包括：第一发射区域，输出第一光；和第二发射区域，与第一发射区域分开设置，第二发射区域包括相移部并且输出第二光。第一光的远场图与第二光的远程模式彼此不同。

根据本技术的实施方式的第一表面发射半导体激光器，相移部设置在第二发射区域中，由此从第二发射区域输出与第一光的远场图不同的远场图的第二光。

根据本技术的实施方式的第二表面发射半导体激光器包括：第一电流注入区域；和第二电流注入区域，与第一电流注入区域分开设置，二电流注入区域具有与第一电流注入区域的尺寸不同的尺寸。从第一电流注入区域输出的第一光的远场图与从第二电流注入区域输出的第二光的远场图彼此不同。

根据本技术的实施方式的第二表面发射半导体激光器，第二电流注入区域的尺寸与第一电流注入区域的尺寸不同，由此从第二电流注入区域输出与第一光的远场图不同的远场图的第二光。

根据本技术的实施方式的第三表面发射半导体激光器包括：第一台面区域，设置有第一电流注入区域并且输出第一光；和第二台面区域，设置有第二电流注入区域、具有与第一台面区域的平面形状不同的平面形状、并且输出第二光。第一光的远场图与第二光的远场图彼此不同。

根据本技术的实施方式的第三表面发射半导体激光器，第二台面区域的平面形状与第一台面区域的平面形状不同，由此，从第二台面区域输出与第一光的远场图不同的远场图的第二光。

根据本技术的实施方式的第一、第二、以及第三感测模块分别包括根据本技术的实施方式的第一、第二、以及第三表面发射半导体激光器。

根据本技术的实施方式的第一、第二、以及第三表面发射半导体激光器及第一、第二、以及第三感测模块，第一光的远场图与第二光的远场图彼此不同；因此，第一光与第二光的叠加使得可以根据辐射角的方向减少光强度的差异。相应地，可以使得远场图的强度分布更接近于均匀分布。

应注意，上述所述内容是本公开的实施例。本公开的效果并不局限于上述所述效果，并且可以是其他不同的效果，或可以还包括其他效果。

附图说明

[图1]是示出根据本技术的第一实施方式的半导体激光器的示意性配置的示意性平面图。

[图2A]是示意性示出沿着图1中示出的线A-A'的横截面配置的示图。

[图2B]是示意性示出沿着图1中示出的线B-B'的横截面配置的示图。

[图3A]是示出图2A中示出的发射区域的第二光反射层的一侧的反射率的示图。