[发明专利]等离子体处理设备

说明书

提供了等离子体处理设备。在一个示例性实施方式中，等离子体处理设备包括处理室。该设备包括可进行操作以在处理室中支撑工件的基座。该设备包括等离子体室。等离子体室沿着等离子体室的电介质侧壁的垂直表面限定有源等离子体产生区域。该设备包括沿垂直方向定位在处理室和等离子体室之间的分离格栅。该设备包括围绕等离子体室延伸的多个感应线圈。多个感应线圈中的每一个可以沿着垂直方向设置在不同的位置。多个感应线圈中的每一个可进行操作以在沿着等离子体室的电介质侧壁的垂直表面的有源等离子体产生区域中产生等离子体。

优先权

本申请要求2017年12月27日提交的标题为“具有等离子体源可调性的等离子体处理设备”的美国临时专利申请第62/610,601号的优先权的权益，通过引用将其并入本文。本申请要求2017年6月9日提交的标题为“具有均匀性控制的等离子体剥离工具”的美国临时专利申请第62/517,365号的优先权的权益，通过引用将其并入本文。本申请要求2018年2月5日提交的标题为“等离子体处理设备”的美国专利申请第15/888,283号的优先权的权益，出于所有目的，通过引用将其并入本文。

技术领域

本公开总体上涉及用于使用等离子体源处理基板的设备、系统和方法。

背景技术

等离子处理在半导体工业中广泛用于半导体晶片和其他基板的沉积、蚀刻、抗蚀剂去除以及相关处理。等离子体源(例如，微波、ECR、感应等)通常用于等离子体处理，产生高密度等离子体和反应性物质，以用于处理基板。等离子体剥离设备可用于剥离处理，例如去除光致抗蚀剂。等离子剥离工具可以包括在其中产生等离子体的等离子体室和在其中处理基板的单独的处理室。处理室可以在等离子体室的“下游”，使得基板不会直接暴露于等离子体。分离格栅可用于将处理室与等离子体室隔开。中性粒子可以透过分离格栅，而来自等离子体的带电粒子不能透过。分离格栅可以包括带有孔的材料片。

发明内容

本公开的实施例的方面和优点将在下面的描述中部分地阐述，或者可以从描述中获悉，或者可以通过实践实施例来获知。

本公开的一个示例方面涉及一种等离子体处理设备。该设备包括处理室。该设备包括可进行操作以在处理室中支撑工件的基座。该设备包括等离子体室。等离子体室可以沿着等离子体室的电介质侧壁的垂直表面限定有源等离子体产生区域。该设备包括沿垂直方向定位在处理室和等离子体室之间的分离格栅。该设备包括围绕等离子体室的多个感应线圈。多个感应线圈中的每一个沿着垂直方向设置在不同的位置。多个感应线圈中的每一个可进行操作以在沿着等离子体室的电介质侧壁的垂直表面的有源等离子体产生区域中产生等离子体。

本公开的另一个示例性方面涉及一种等离子体处理设备。该设备包括处理室。该设备包括等离子体室。等离子体室包括电介质侧壁。该设备包括沿垂直方向定位在处理室和等离子体室之间的分离格栅。电介质侧壁包括第一部分和第二部分。电介质侧壁的第二部分从电介质侧壁的第一部分张开。该设备包括围绕电介质侧壁的第一部分定位的第一感应线圈。该设备包括邻近电介质侧壁的第二部分定位的第二感应线圈。

本公开的其他示例性方面涉及用于对工件进行等离子体处理的设备、方法、过程、分离格栅以及装置。

参考以下描述和所附权利要求，可以更好地理解各种实施例的这些和其他特征、方面和优点。结合在本说明书中并构成本说明书的一部分的附图示出了本公开的实施例，并且与说明书一起用于解释相关原理。

附图说明

参考附图，在说明书中阐述了针对本领域普通技术人员的对实施例的详细讨论，其中：

图1示出了示例性等离子体处理工具；

图2示出了根据本主题的示例性实施例的示例性等离子体处理工具的一部分；

图3示出了根据本公开的示例性实施例的示例性等离子体处理工具的一部分；