[发明专利]具有均匀性控制的等离子体剥离工具

说明书

提供了具有处理均匀性控制的等离子体剥离工具。在一个示例性实施方式中，等离子体处理设备包括处理室。该设备包括在处理室中的第一基座，其可进行操作以支撑工件。第一基座可以限定第一处理站。等离子体处理设备可以包括在处理室中的第二基座，其可进行操作以支撑工件。第二基座可以限定第二处理站。该设备可以包括设置在第一处理站上方的第一等离子体室。第一等离子体室可以与第一感应等离子体源相关联。第一等离子体室可以通过第一分离格栅与处理室隔开。该设备可以包括设置在第二处理站上方的第二等离子体室。第二等离子体室可以与第二感应等离子体源相关联。第二等离子体室可以通过第二分离格栅与处理室隔开。

优先权

本申请要求2017年12月27日提交的标题为“具有均匀性控制的等离子体剥离工具”的美国临时专利申请第62/610,588号的优先权的权益，通过引用将其并入本文。本申请要求2017年6月9日提交的标题为“具有均匀性控制的等离子体剥离工具”的美国临时专利申请第62/517,365号的优先权的权益，通过引用将其并入本文。本申请要求2018年2月5日提交的标题为“具有均匀性控制的等离子体剥离工具”的美国专利申请第15/888,257号的优先权的权益，出于所有目的，通过引用将其并入本文。

技术领域

本公开总体上涉及用于使用等离子体源处理一个或多个基板的设备、系统和方法。

背景技术

等离子处理在半导体工业中广泛用于半导体晶片和其他基板的沉积、蚀刻、抗蚀剂去除以及相关处理。等离子体源(例如，微波、ECR、感应等)通常用于等离子体处理，产生高密度等离子体和反应性物质，以用于处理基板。等离子体剥离设备可用于剥离处理，例如去除光致抗蚀剂。等离子剥离工具可以包括在其中产生等离子体的一个或多个等离子体室和在其中处理一个或多个基板的分开的一个或多个处理室。一个或多个处理室可以在一个或多个等离子体室的“下游”，使得一个或多个基板不会直接暴露于等离子体。分离格栅可用于将一个或多个处理室与一个或多个等离子体室隔开。中性粒子可以透过分离格栅，而来自等离子体的带电粒子不能透过。一个或多个分离格栅可以包括带有孔的材料片。

等离子体剥离工具中的均匀性控制对于提高性能(例如，提高灰化率性能)可能是重要的。在不操纵处理参数例如气体压力和流量以及提供给用于产生等离子体的感应线圈的RF功率的情况下，很难在等离子剥离工具中调节均匀性。当匹配具有多个等离子体处理头的等离子体剥离工具(例如双室等离子体剥离工具)中的单独的等离子体处理头的性能参数时，均匀性控制尤其重要。

发明内容

参考附图，在说明书中阐述了针对本领域普通技术人员的对实施例的详细讨论，其中：

本公开的一个示例方面涉及一种等离子体处理设备。该设备包括处理室。该设备包括在处理室中的第一基座，其可进行操作以支撑工件。第一基座可以限定第一处理站。等离子体处理设备可以包括在处理室中的第二基座，其可进行操作以支撑工件。第二基座可以限定第二处理站。该设备可以包括设置在第一处理站上方的第一等离子体室。第一等离子体室可以与第一感应等离子体源相关联。第一等离子体室可以通过分离格栅与处理室隔开。该设备可以包括设置在第二处理站上方的第二等离子体室。第二等离子体室可以与第二感应等离子体源相关联。第二等离子体室可以通过分离格栅与处理室隔开。

本公开的其他示例方面涉及用于等离子剥离工具均匀性的系统、方法、过程、设备和装置。

参考以下描述和所附权利要求，可以更好地理解各种实施例的这些和其他特征、方面和优点。结合在本说明书中并构成本说明书的一部分的附图示出了本公开的实施例，并且与说明书一起用于解释相关原理。

附图说明

参考附图，在说明书中阐述了针对本领域普通技术人员的对实施例的详细讨论，其中：

图1示出了根据本公开的示例性实施例的示例性双室等离子体处理设备；

图2示出了双室等离子体处理设备的示例性处理室的平面图；