[发明专利]导电膜的制造方法、导电膜和金属纳米线墨

权利要求书

1.一种导电膜的制造方法，该导电膜的表面电阻值为1000～10000Ω/□，包括在高分子膜的至少一面涂布金属纳米线墨并使其干燥的工序，所述金属纳米线墨包含金属纳米线(A)、粘合剂树脂(B)和溶剂(C)，所述金属纳米线(A)的平均直径为1～100nm，长轴的长度的平均值为1～100μm，并且长宽比的平均值为100～2000，所述粘合剂树脂(B)包含乙基纤维素和羟丙基纤维素中的至少一者，所述溶剂(C)包含二乙二醇单乙醚，所述金属纳米线(A)的含有率为0.005～0.05质量％。

2.根据权利要求1所述的导电膜的制造方法，

所述溶剂(C)含有10～50质量％的二乙二醇单乙醚。

3.一种导电膜，是根据权利要求1或2所述的导电膜的制造方法所制造的、在高分子膜的至少一面形成有导电层的导电膜，其特征在于，

所述导电层包含金属纳米线(A)和粘合剂树脂(B)，所述金属纳米线(A)的平均直径为1～100nm，长轴的长度的平均值为1～100μm，并且长宽比的平均值为100～2000，所述粘合剂树脂(B)包含乙基纤维素和羟丙基纤维素中的至少一者，所述导电层的表面电阻值为1000～10000Ω/□，并且面内的表面电阻值的波动为35％以下。

4.根据权利要求3所述的导电膜，

所述金属纳米线(A)是银纳米线，其占有面积率为0.5～1.5％的范围。

5.根据权利要求3所述的导电膜，

所述金属纳米线(A)与粘合剂树脂(B)的质量比即金属纳米线(A)/粘合剂树脂(B)为0.01～0.5的范围。

6.根据权利要求4所述的导电膜，

所述金属纳米线(A)与粘合剂树脂(B)的质量比即金属纳米线(A)/粘合剂树脂(B)为0.01～0.5的范围。

7.根据权利要求3～6中任一项所述的导电膜，

所述高分子膜是由选自聚酯、聚碳酸酯、丙烯酸树脂、聚环烯烃中的任意高分子构成的膜。

8.根据权利要求3～6中任一项所述的导电膜，

光线总透射率为80％以上并且雾度值为0.1～1.5％。

9.根据权利要求7所述的导电膜，

光线总透射率为80％以上并且雾度值为0.1～1.5％。

10.一种金属纳米线墨，其特征在于，包含金属纳米线(A)、粘合剂树脂(B)和溶剂(C)，所述金属纳米线(A)的平均直径为1～100nm，长轴的长度的平均值为1～100μm，并且长宽比的平均值为100～2000，所述粘合剂树脂(B)包含乙基纤维素和羟丙基纤维素中的至少一者，所述溶剂(C)包含二乙二醇单乙醚，所述金属纳米线(A)的含有率为0.005～0.05质量％，且所述金属纳米线(A)与粘合剂树脂(B)的质量比即金属纳米线(A)/粘合剂树脂(B)在0.05～0.2范围内。

11.根据权利要求10所述的金属纳米线墨，

所述溶剂(C)含有10～50质量％的二乙二醇单乙醚。