[发明专利]用于二维模式匹配光栅耦合器的方法和系统在审

专利信息
申请号: 201880038376.8 申请日: 2018-04-19
公开(公告)号: CN110770615A 公开(公告)日: 2020-02-07
发明(设计)人: 罗曼·布鲁克;阿蒂拉·米基斯 申请(专利权)人: 卢克斯特拉有限公司
主分类号: G02B6/124 分类号: G02B6/124;G02B6/26;G02B6/34
代理公司: 11240 北京康信知识产权代理有限责任公司 代理人: 刘彬
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 光子芯片 光栅耦合器 散射 散射体 光传播方向 二维模式 匹配光栅 光波 表面处 接收光 耦合器 配置 垂直 穿过
【权利要求书】:

1.一种用于通信的方法,所述方法包括:

在光子芯片中,在所述光子芯片的表面处包括光栅耦合器,所述光栅耦合器在穿过所述光栅耦合器的光波的方向上具有增加的散射强度:

从所述光子芯片内的第一方向接收光信号;并且

将所述光信号散射出所述光子芯片的表面。

2.根据权利要求1所述的方法,包括从所述光子芯片内的第二方向在所述光栅耦合器中接收第二光信号。

3.根据权利要求2所述的方法,包括将所述第二光信号散射出所述光子芯片的表面。

4.根据权利要求1所述的方法,其中,所述增加的散射强度由增加的宽度散射体沿着垂直于光传播方向的方向来配置。

5.根据权利要求1所述的方法,其中,所述增加的散射强度由所述光栅耦合器中散射体形状的转变来配置。

6.根据权利要求5所述的方法,其中,所述散射体的形状从十字形转变为正方形。

7.根据权利要求5所述的方法,其中,所述散射体的形状从空心形状转变为实心形状。

8.根据权利要求5所述的方法,其中,所述散射体的形状从正方形转变为直线。

9.根据权利要求8所述的方法,其中,从正方形到直线的转变包括正方形之间的窄合并元件。

10.根据权利要求1所述的方法,其中,所述光子芯片包括互补金属氧化物半导体(CMOS)芯片。

11.一种用于通信的系统,所述系统包括:

光子芯片,在所述光子芯片的表面处包括光栅耦合器,所述光栅耦合器在穿过所述光栅耦合器的光波的方向上具有增加的散射强度,所述光子芯片能够操作用于:

从所述光子芯片内的第一方向接收光信号;并且

将所述光信号散射出所述光子芯片的表面。

12.根据权利要求11所述的系统,其中,所述光子芯片能够操作用于从所述光子芯片内的第二方向在所述光栅耦合器中接收第二光信号。

13.根据权利要求12所述的系统,其中,所述光子芯片能够操作用于将所述第二光信号散射出所述光子芯片的表面。

14.根据权利要求11所述的系统,其中,所述增加的散射强度由增加的宽度散射体沿着垂直于光传播方向的方向来配置。

15.根据权利要求11的系统,其中,所述增加的散射强度由所述光栅耦合器中散射体形状的转变来配置。

16.根据权利要求15所述的系统,其中,所述散射体的形状从十字形转变为正方形。

17.根据权利要求15所述的系统,其中,所述散射体的形状从空心形状转变为实心形状。

18.根据权利要求15所述的系统,其中,所述散射体的形状从正方形转变为直线。

19.根据权利要求18所述的系统,其中,从正方形到直线的转变包括正方形之间的窄合并元件。

20.一种用于通信的方法,所述方法包括:

在光子芯片中,在所述光子芯片的表面处包括光栅耦合器,所述光栅耦合器在穿过所述光栅耦合器的光波的方向上具有降低的散射强度:

经由所述光栅耦合器从所述光子芯片的表面接收光信号;并且

将所述光信号散射到耦合到所述光栅耦合器的波导中,在平行于所述光子芯片的表面的方向上传送所述光信号。

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