[发明专利]指示预定类型的辐射的强度

权利要求书

1.一种检测装置(1)，用于指示入射到所述检测装置上的电磁辐射中存在的预定类型的辐射的强度，其中，所述检测装置包括：

滤波器元件(2)，用于过滤入射电磁辐射，其中，所述滤波器元件配置用于将波长大于400nm的电磁辐射从所述入射电磁辐射中滤除；

会聚元件(3)，配置用于增大所述入射电磁辐射中存在的预定类型的辐射的光子密度，并且用于将预定类型的辐射束会聚到更小区域；和

材料传感器元件(4)，设置用于接收已通过所述滤波器元件和所述会聚元件的所述入射电磁辐射，以通过所述材料传感器元件的颜色变化来指示所述入射电磁辐射中存在的预定类型的辐射的强度，其中，所述材料由以下化学式(I)表示：

(M')₈M”₆M”'₆O₂₄(X,S)₂:M””化学式(I)

其中，M'表示选自IUPAC元素周期表第1族的碱金属的单原子阳离子，或这类阳离子的任何组合；

M”表示选自IUPAC元素周期表的第13族的元素或选自IUPAC元素周期表的第3～12族中任一族的过渡元素的三价单原子阳离子，或这类阳离子的任何组合；

M”'表示选自IUPAC元素周期表第14族的元素的单原子阳离子，或这类阳离子的任何组合；

X表示选自IUPAC元素周期表第16族或选自IUPAC元素周期表第17族的元素的阴离子，或这类阴离子的任何组合；以及

M””表示选自IUPAC元素周期表的稀土金属或IUPAC元素周期表的过渡金属的元素的掺杂阳离子，或这类阳离子的任何组合，或其中M””不存在。

2.根据权利要求1所述的检测装置，其中，所述滤波器元件(2)配置用于将波长大于300nm的电磁辐射从所述入射电磁辐射中滤除。

3.根据权利要求1所述的检测装置，其中，所述滤波器元件(2)配置用于使波长大于0nm至400nm的入射电磁辐射通过。

4.根据权利要求1或2所述的检测装置，其中，所述滤波器元件(2)配置用于使波长大于0nm至300nm的入射电磁辐射通过。

5.根据权利要求1所述的检测装置，其中，所述滤波器元件(2)配置用于使波长0.000001nm至400nm的入射电磁辐射通过。

6.根据权利要求1或2所述的检测装置，其中，所述滤波器元件(2)配置用于使波长0.000001nm至300nm的入射电磁辐射通过。

7.根据权利要求1或2所述的检测装置，其中，所述滤波器元件(2)配置用于使波长0.000001nm至10nm的入射电磁辐射通过。

8.根据权利要求1所述的检测装置，其中，所述滤波器元件(2)配置用于使波长0.01nm至400nm的入射电磁辐射通过。

9.根据权利要求1或2所述的检测装置，其中，所述滤波器元件(2)配置用于使波长0.01nm至300nm的入射电磁辐射通过。

10.根据权利要求1所述的检测装置，其中，所述滤波器元件(2)配置用于使波长10nm至400nm的入射电磁辐射通过。

11.根据权利要求1或2所述的检测装置，其中，所述滤波器元件(2)配置用于使波长10nm至300nm的入射电磁辐射通过。

12.根据权利要求1或2所述的检测装置，其中，所述滤波器元件(2)配置用于使波长0.01nm至10nm的入射电磁辐射通过。

13.根据权利要求1或2所述的检测装置，其中，所述滤波器元件(2)和所述会聚元件(3)是同一个元件，配置用于将波长大于400nm的电磁辐射从所述入射电磁辐射中滤除，并且增大所述入射电磁辐射中存在的预定类型的辐射的光子密度。