[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，

具备：

第1基板(11)，具有第1面(11c)；

第2基板(12)，具有一部分通过大气压等离子体活性而与上述第1面的一部分相接合的第2面(12b)；

氧化膜(13)，形成于上述第1面；以及

保护膜(14)，层叠在上述氧化膜的与上述第1基板相反侧的表面上。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

上述保护膜是绝缘膜。

3.如权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，

上述保护膜包含硅氮化膜。

4.如权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，

上述保护膜是层叠有硅氧化膜和硅氮化膜的多层膜。

5.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

上述保护膜是导电性膜。

6.如权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，

上述保护膜是多晶硅膜。

7.一种半导体装置的制造方法，该半导体装置具备具有第1面(11c)的第1基板(11)、以及具有一部分通过大气压等离子体活性而与上述第1面的一部分相接合的第2面(12b)的第2基板(12)，

该半导体装置的制造方法的特征在于，具备以下步骤：

准备上述第1基板；

在上述第1面形成氧化膜(13)；

在上述第1基板形成杂质区域；

在形成上述氧化膜和上述杂质区域后，在上述氧化膜的与上述第1基板相反侧的表面上形成保护膜(14)；

在形成上述保护膜后，在大气中对上述第1面实施等离子体活性处理；

在上述等离子体活性处理后，使上述第1基板的第1面与上述第2基板的上述第2面贴合；

在上述第1面与上述第2面的贴合后，进行上述第1基板及上述第2基板的热处理，将上述第1面与上述第2面接合。

8.如权利要求7所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

上述保护膜是绝缘膜。

9.如权利要求8所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

上述保护膜是硅氮化膜。

10.如权利要求9所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

上述保护膜是层叠有硅氧化膜和硅氮化膜的多层膜。

11.如权利要求7所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

上述保护膜是导电性膜。

12.如权利要求11所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

上述保护膜是多晶硅膜。