[发明专利]氮化物半导体层叠物、半导体装置、氮化物半导体层叠物的制造方法、氮化物半导体自支撑基板的制造方法以及半导体装置的制造方法

说明书

一种氮化物半导体层叠物，其具有：基板，其具有由氮极性面形成的表面、以及与表面处于相反侧的由III族元素极性面形成的背面，所述基板由III族氮化物半导体形成；保护层，其至少设置在基板的背面侧，耐热性比基板的背面高；以及半导体层，其设置在基板的表面侧，由III族氮化物半导体形成，半导体层中的O的浓度低于1×10¹⁷at/cm³。

技术领域

本发明涉及氮化物半导体层叠物、半导体装置、氮化物半导体层叠物的制造方法、氮化物半导体自支撑基板的制造方法以及半导体装置的制造方法。

背景技术

在制造氮化物半导体层叠物、氮化物半导体自支撑基板、半导体装置等时，有时会利用气相外延法使由III族氮化物半导体形成的半导体层在规定的基板上进行外延生长(例如非专利文献1)。

现有技术文献

非专利文献

非专利文献1：S.Keller et al.:JOURNAL OF APPLIED PHYSICS Vol.102,083546(2007)

发明内容

发明要解决的问题

本发明的目的在于提供能够分别以高纯度制造氮化物半导体层叠物、氮化物半导体自支撑基板和半导体装置的技术。

用于解决问题的方案

根据本发明的一个方案，提供氮化物半导体层叠物及其相关技术，所述氮化物半导体层叠物具有：

基板，其具有由氮极性面形成的表面、以及与前述表面处于相反侧的由III族元素极性面形成的背面，所述基板由III族氮化物半导体形成；

保护层，其至少设置在前述基板的前述背面侧，耐热性比前述基板的前述背面高；以及

半导体层，其设置在前述基板的前述表面侧，由III族氮化物半导体形成，前述半导体层中的O的浓度低于1×10¹⁷at/cm³。

发明的效果

根据本发明，能够分别以高纯度制造氮化物半导体层叠物、氮化物半导体自支撑基板以及半导体装置。

附图说明

图1是示出本发明的第一实施方式的氮化物半导体层叠物的截面图。

图2是示出本发明的第一实施方式的氮化物半导体层叠物的制造方法或氮化物半导体自支撑基板的制造方法的流程图。

图3的(a)和(b)是示出第一实施方式的保护层形成工序中的基板的载置状态的截面图。

图4是示出保护层形成工序后的基板的截面图。

图5是气相外延装置的构成示意图，示出在反应容器内实行晶体生长步骤过程中的状况。

图6是气相外延装置的构成示意图，示出将反应容器的炉口打开的状态。

图7是示出切片工序的截面图。

图8是示出本发明的第二实施方式的氮化物半导体层叠物的截面图。

图9是示出本发明的第二实施方式的半导体装置的截面图。

图10是示出本发明的第二实施方式的氮化物半导体层叠物的制造方法或半导体装置的制造方法的流程图。

图11的(a)是示出离子注入工序的截面图，图11的(b)是示出活化退火工序的截面图。