[发明专利]电磁波吸收体和带电磁波吸收体的成形品

权利要求书

1.一种电磁波吸收体，其具备：

电介质层；

设置在所述电介质层的一个主表面上的电阻层；以及，

设置在所述电介质层的另一个主表面上，具有比所述电阻层的薄层电阻更低的薄层电阻的导电层，

所述电阻层具有200～600Ω/□的薄层电阻，

在对所述电阻层进行在5重量％的NaOH水溶液中浸渍5分钟的浸渍处理的情况下，所述浸渍处理前的所述电阻层的薄层电阻与所述浸渍处理后的所述电阻层的薄层电阻之差的绝对值小于100Ω/□，

所述电阻层为氧化铟锡的情况下，所述氧化铟锡是含有小于13重量％的氧化锡的多晶结构或含有25重量％以上氧化锡的非晶结构，

所述电阻层包含作为主要成分的氧化锡且不含有氧化铟的情况下，所述电阻层含有作为掺杂物的氟或锑，或者具有200nm～500nm的厚度。

2.根据权利要求1所述的电磁波吸收体，其中，所述电阻层含有氧化锡、氧化钛和氧化铟中的任一者作为主要成分。

3.根据权利要求2所述的电磁波吸收体，其中，所述电阻层还包含具有所述主要成分的金属元素以外的至少1种元素的掺杂物。

4.根据权利要求1～3中的任一项所述的电磁波吸收体，其中，所述电阻层具有5×10^-4Ω·cm以上的电阻率。

5.根据权利要求1～3中的任一项所述的电磁波吸收体，其中，所述电阻层具有15～500nm的厚度。

6.根据权利要求1～3中的任一项所述的电磁波吸收体，其中，所述电阻层的与所述电介质层接触的面的相反的一面层叠在高分子薄膜上。

7.根据权利要求1～3中的任一项所述的电磁波吸收体，其中，所述电介质层具有1～10的相对介电常数。

8.根据权利要求1～3中的任一项所述的电磁波吸收体，其中，所述电介质层由高分子材料形成。

9.根据权利要求1～3中的任一项所述的电磁波吸收体，其中，所述导电层具有0.001～30Ω/□的薄层电阻。

10.根据权利要求1～3中的任一项所述的电磁波吸收体，其中，所述导电层由铝、铝合金、氮化铝、铜、铜合金、铜的氮化物以及氧化铟锡中的至少1者形成。

11.一种带电磁波吸收体的成形品，其具备：

成形品、和

安装在所述成形品上的权利要求1～10中的任一项所述的电磁波吸收体。