[发明专利]能量控制涂层、结构、装置及其制造方法

权利要求书

1.一种金属电介质太阳能控制结构，包括：

透明衬底；

多层金属电介质涂层，形成在所述透明衬底上，所述多层金属电介质涂层包括以下层的序列：

第一透明电介质层，形成在所述透明衬底上；

金属层，形成在所述第一透明电介质层上；以及

第二透明电介质层，形成在所述金属层上；

其中，所述第一透明电介质层和所述第二透明电介质层中的至少一者是氢化金属氮化物电介质层；以及

其中，所述金属层足够薄，以及其中，每个氢化金属氮化物电介质层包括有效氢浓度，使得所述结构在至少一部分可见光谱中表现至少70％的透明度。

2.根据权利要求1所述的金属电介质太阳能控制结构，其中，至少一个氢化金属氮化物电介质层是氢化氮化铝层。

3.根据权利要求1或2所述的金属电介质太阳能控制结构，其中，至少一个氢化金属氮化物电介质层内的氢浓度在按重量计1ppm与1000ppm之间。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的金属电介质太阳能控制结构，其中，至少一个氢化金属氮化物电介质层内的氢浓度在平行于与所述透明衬底相关联的表面法线的方向上随空间变化。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的金属电介质太阳能控制结构，其中，可见光谱中的最小消光系数小于0.02。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的金属电介质太阳能控制结构，其中，至少一个氢化金属氮化物电介质层的折射率在1.5与1.8之间。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的金属电介质太阳能控制结构，其中，所述金属层的电阻率在2与6微欧姆/厘米之间。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的金属电介质太阳能控制结构，其中，至少一个氢化金属氮化物电介质层的平均粒度小于30nm。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的金属电介质太阳能控制结构，其中，至少一个氢化金属氮化物电介质层内的粒度分布的全宽半最大值在所述至少一个氢化金属氮化物电介质层的生长方向上小于3nm。

10.根据权利要求1至8中任一项所述的金属电介质太阳能控制结构，其中，所述金属层是银层。

11.根据权利要求1至10中任一项所述的金属电介质太阳能控制结构，其中，所述金属层的厚度在3nm与30nm之间。

12.根据权利要求1至11中任一项所述的金属电介质太阳能控制结构，其中，所述金属层足够薄，并且每个氢化金属氮化物电介质层包括有效氢浓度，使得所述金属电介质太阳能控制结构在至少一部分可见光谱中表现至少70％的透明度，并且在至少一部分红外光谱中表现至少85％的反射率。

13.根据权利要求1至12中任一项所述的金属电介质太阳能控制结构，其中，所述多层金属电介质涂层还包括与所述金属层和电源电连通的汇流条。

14.根据权利要求1所述的金属电介质太阳能控制结构，其中，所述第一透明电介质层是第一氢化金属氮化物电介质层，并且所述第二透明电介质层是第二氢化金属氮化物电介质层。

15.根据权利要求14所述的金属电介质太阳能控制结构，其中，所述金属层和所述第二氢化金属氮化物电介质层形成金属电介质双层，并且其中，所述多层金属电介质涂层还包括一个或多个额外的金属电介质双层。

16.根据权利要求15所述的金属电介质太阳能控制结构，其中，所述多层金属电介质涂层的至少一个氢化金属氮化物电介质层内的氢浓度在平行于与所述透明衬底相关联的表面法线的方向上随空间变化。