[发明专利]接合基板、声表面波元件、声表面波元件器件及接合基板的制造方法

权利要求书

1.一种接合基板，其特征在于，

具有水晶基板、以及接合在所述水晶基板上且供漏声表面波传播的压电基板，在接合界面处通过共价耦合来进行接合，

所述水晶基板的方位与所述压电基板的方位在接合面方向上65度～115度的范围内相交叉，

所述压电基板由钽酸锂或铌酸锂构成。

2.如权利要求1所述的接合基板，其特征在于，

在所述水晶基板与压电基板之间具有非晶质层，所述非晶质层的界面为所述接合界面。

3.如权利要求2所述的接合基板，其特征在于，

所述非晶质层具有100nm以下的厚度。

4.如权利要求2或3所述的接合基板，其特征在于，

所述非晶质层由二氧化硅或氧化铝构成。

5.如权利要求1或2所述的接合基板，其特征在于，

所述水晶基板的厚度为150～500μm。

6.如权利要求1或2所述的接合基板，其特征在于，

所述水晶基板为AT切割水晶基板或ST切割水晶基板。

7.如权利要求1或2所述的接合基板，其特征在于，

所述压电基板的厚度为0.1～100μm。

8.一种声表面波元件，其特征在于，

在权利要求1至7的任一项所述的接合基板的压电基板的主面上，至少具备1个梳型电极。

9.如权利要求8所述的声表面波元件，其特征在于，

所述压电基板用于对漏声表面波进行激励。

10.如权利要求8或9所述的声表面波元件，其特征在于，

所述压电基板的厚度相对于声表面波的波长与0.05～1.0波长相当。

11.如权利要求8或9所述的声表面波元件，其特征在于，

频率温度特性TCF为-20～+5ppm/℃，耦合系数K²为5％以上。

12.一种声表面波元件器件，其特征在于，

权利要求8至11的任一项所述的声表面波元件被密封在封装中。

13.一种接合基板的制造方法，该接合基板接合有水晶基板与由钽酸锂或铌酸锂构成的压电基板以使得所述水晶基板的方位与所述压电基板的方位在接合面方向上65度～115度的范围内相交叉，该接合基板的制造方法的特征在于，

在减压下对水晶基板的接合面和压电基板的接合面照射紫外线，在所述水晶基板与所述压电基板在接合面方向上彼此的方位正交的方向侧相交叉的状态下，进行照射后，使水晶基板的接合面与压电基板的接合面接触，并在厚度方向上对水晶基板和压电基板进行加压来使所述接合面彼此接合。

14.如权利要求13所述的接合基板的制造方法，其特征在于，

在所述加压时，加热到规定的温度。

15.如权利要求13或14所述的接合基板的制造方法，其特征在于，

所述水晶基板通过水热合成法使结晶生长并在任意方向上进行切割而得。

16.如权利要求13或14所述的接合基板的制造方法，其特征在于，

使非晶质层介于所述水晶基板与压电基板的接合面的一方或双方。

17.如权利要求16所述的接合基板的制造方法，其特征在于，

通过薄膜形成方法来使所述非晶质层附着。