[发明专利]半导体制造装置用部件在审
申请号: | 201880039732.8 | 申请日: | 2018-06-07 |
公开(公告)号: | CN110770877A | 公开(公告)日: | 2020-02-07 |
发明(设计)人: | 竹林央史 | 申请(专利权)人: | 日本碍子株式会社 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/683;H05B3/74 |
代理公司: | 11243 北京银龙知识产权代理有限公司 | 代理人: | 金成哲;宋春华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 烧结体制 氧化铝 板件 半导体制造装置 筒状部件 接合 贯通孔 接合层 绝缘管 载置面 电极 晶圆 内置 背面 贯通 | ||
1.一种半导体制造装置用部件,其特征在于,具备:
表面为晶圆载置面且内置有电极的氧化铝烧结体制的板件;
将上述板件沿厚度方向贯通的至少一个贯通孔;以及
经由氧化铝烧结体制且环状的第一接合层接合在上述板件的背面的氧化铝烧结体制的筒状部件。
2.根据权利要求1所述的半导体制造装置用部件,其特征在于,
上述筒状部件对应于上述贯通孔的每一个而设置,上述筒状部件的内部和上述贯通孔连通。
3.根据权利要求2所述的半导体制造装置用部件,其特征在于,
上述贯通孔的内表面、上述第一接合层的环内内面以及上述筒状部件的内表面无台阶地相连。
4.根据权利要求2或3所述的半导体制造装置用部件,其特征在于,具备:
粘接或接合于上述板件的背面的金属制的冷却基板;以及
以将上述冷却基板沿厚度方向贯通的方式设置且供上述筒状部件配置于内部的筒状空间。
5.根据权利要求4所述的半导体制造装置用部件,其特征在于,
在包围上述筒状空间的壁面与上述筒状部件的外表面之间存在间隙。
6.根据权利要求1所述的半导体制造装置用部件,其特征在于,
上述筒状部件的外径比上述板件的外径小,
上述贯通孔全部设于上述板件中的比上述筒状部件靠外周侧的区域。
7.根据权利要求1所述的半导体制造装置用部件,其特征在于,
上述筒状部件的外径与上述板件的外径一致,
上述贯通孔全部设于上述板件中的比上述筒状部件靠内周侧的区域。
8.根据权利要求7所述的半导体制造装置用部件,其特征在于,
具备外径比上述筒状部件的内径小的小板部和外径比上述筒状部件的外径大的大板部层叠而成的形状的金属制的带台阶的冷却基板,
上述板件的背面粘接或接合于上述冷却基板的上述小板部的表面,
上述筒状部件的背面与上述冷却基板的台阶面粘接或具有间隙地配置。
9.根据权利要求8所述的半导体制造装置用部件,其特征在于,具备:
氧化铝烧结体制的绝缘管,其对应于上述贯通孔的每一个而设置,且以与上述贯通孔连通的方式经由氧化铝烧结体制且环状的第二接合层接合在上述板件的背面;以及
筒状空间,其将上述冷却基板沿厚度方向贯通,且在内部配置有上述绝缘管。
10.根据权利要求9所述的半导体制造装置用部件,其特征在于,
在包围上述筒状空间的壁面与上述绝缘管的外表面之间存在间隙。
11.根据权利要求9或10所述的半导体制造装置用部件,其特征在于,
上述贯通孔的内表面、上述第二接合层的环内表面以及上述绝缘管的内表面无台阶地相连。
12.根据权利要求9~11中任一项所述的半导体制造装置用部件,其特征在于,
在上述板件与上述第二接合层的界面及上述绝缘管与上述第二接合层的界面含有MgF2。
13.根据权利要求1~12中任一项所述的半导体制造装置用部件,其特征在于,
在上述板件与上述第一接合层的界面及上述筒状部件与上述第一接合层的界面含有MgF2。
14.根据权利要求1~13中任一项所述的半导体制造装置用部件,其特征在于,
上述板件为静电卡盘加热器、静电卡盘或者陶瓷加热器。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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