[发明专利]用于芯片到芯片近场通信的电感器

权利要求书

1.一种集成电路器件，其特征在于，包括：

位于基板上的至少一个电感器，所述至少一个电感器具有多匝，且所述多匝位于与所述基板的平面垂直的平面中，所述至少一个电感器的位置可以与另一电感器进行近场耦合；

所述至少一个电感器包括的多匝中的每一匝：包括多个金属层段，所述多个金属层段从上到下依次包括上金属层段、多个中间金属层段和下金属层段；

所述上金属层段通过通孔与所述多个中间金属层段电耦合；

所述多个中间金属层段在每层上形成互相间隔的第一段和第二段；

所述多个中间金属层段的第一段彼此之间通过通孔电耦合，排列成阶梯状，并通过通孔与下一匝的下金属层段电耦合；

所述多个中间金属层段的第二段彼此之间通过通孔电耦合，并通过通孔与本匝的下金属层段电耦合。

2.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，所述至少一个电感器位于或靠近所述基板的边缘。

3.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，至少一个电感器是串联峰值电感、并联峰值电感或T型线圈中的一个。

4.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，所述基板由集成电路的一个或多个层构成。

5.根据权利要求4所述的器件，其特征在于，所述至少一个电感器的至少一匝的多个金属层段中，包括所述集成电路的第一金属层的第一段和第二金属层的第二段，所述第一金属层的第一段和所述第二金属层的第二段通过所述集成电路中的通孔电耦合。

6.根据权利要求5所述的器件，其特征在于：

所述至少一个电感器的顶部由所述集成电路的上金属层的一段限定；

所述至少一个电感器的侧部由所述集成电路的一个或多个中间金属层的一个或多个相应段限定；

所述至少一个电感器的底部由所述集成电路的一个或多个下金属层的一个或多个相应段限定；

各段通过通孔进行电耦合，以形成所述至少一个电感器的至少一匝。

7.根据权利要求6所述的器件，其特征在于，所述上金属层是所述集成电路的重分布设计层。

8.根据权利要求6所述的器件，其特征在于，所述上金属层是用于所述集成电路的铝焊盘层。

9.一种集成电路器件，其特征在于，包括：

位于第一基板上的第一电感器，所述第一电感器具有多匝，且所述多匝位于与所述第一基板的平面垂直的平面中；所述第一电感器包括的多匝中的每一匝：包括多个金属层段，所述多个金属层段从上到下依次包括上金属层段、多个中间金属层段和下金属层段；

所述上金属层段通过通孔与所述多个中间金属层段电耦合；

所述多个中间金属层段在每层上形成互相间隔的第一段和第二段；

所述多个中间金属层段的第一段彼此之间通过通孔电耦合，排列成阶梯状，并通过通孔与下一匝的下金属层段电耦合；

所述多个中间金属层段的第二段彼此之间通过通孔电耦合，并通过通孔与本匝的下金属层段电耦合；

位于第二基板上的第二电感器，所述第二电感器具有至少一匝位于与所述第二基板的平面垂直的平面中，所述第一基板和所述第二基板彼此平行；

其中，所述第一电感器和所述第二电感器设计为彼此电感耦合。

10.根据权利要求9所述的器件，其特征在于，所述电感器中的至少一个是串联峰值电感器、并联峰值电感器或T型线圈中的一个。

11.根据权利要求9所述的器件，其特征在于，所述第一基板由集成电路的一个或多个层构成。

12.根据权利要求11所述的器件，其特征在于，所述第一电感器的至少一匝的多个金属层段中，包括所述集成电路的第一金属层的第一段和第二金属层的第二段，所述第一金属层的第一段和所述第二金属层的第二段通过所述集成电路中的通孔电耦合。