[发明专利]电磁辐射探测器

权利要求书

1.一种电磁辐射探测器，包括：

-有取向的热电材料多晶层(2)，

-一衬底(1)，叠加在所述有取向的多晶层的顶表面上，使得背面(10)与所述有取向的多晶层接触，

-第一电极(6)和第二电极(7)，彼此隔开并与所述有取向的多晶层电接触，

其特征在于，所述衬底包括至少一个陶瓷层，并且所述有取向的多晶层具有相对于所述衬底顶表面的法线成30度至55度之间的角度的晶体取向。

2.根据权利要求1所述的探测器，其特征在于，所述衬底是一陶瓷层。

3.根据权利要求1所述的探测器，其特征在于，所述衬底包括一金属层，该金属层先前已经被陶瓷层电钝化。

4.根据权利要求1所述的探测器，其特征在于，所述衬底具有与所述多晶层不同的晶体取向。

5.根据前述权利要求中任一项所述的探测器，其特征在于，包括至少一个条带(100)，该至少一个条带(100)由在所述第一电极和所述第二电极之间延展的所述有取向的多晶层形成。

6.根据权利要求1至4中任一项所述的探测器，其特征在于，包括多个条带(101…10n-1、10n)，其中每个条带由所述有取向的多晶层形成，所述多个条带中的所述条带是彼此间隔开并且彼此平行，所述多个条带中的所述条带从第一条带(101)到第n条带(10n)连续布置，所述多个条带中的每个条带具有一第一末端(S1)和一第二末端(S2)，所述第一电极(6)连接到所述多个条带中的第一条带(101)的第一末端(S1)，所述第二电极(7)连接到所述多个条带的第n个条带(10n)的第二末端(S2)，所述多个条带的每个条带的第二末端与所述多个条带的连续条带的第一末端电接触。

7.根据权利要求1至4中任一项所述的探测器，其特征在于，包括多个条带(201、301..20n，30n)，其中每个条带由所述有取向的多晶层形成，相邻的条带(201、301；202、302…20n，30n)中的有取向的多晶层具有相反的晶粒取向，所述多个条带中的所述条带间隔开并且彼此平行，所述多个条带中的所述条带从一第一条带(201)连续排列至第n条带(30n)，其中，多个条带中的每个条带具有一第一末端(S1)和一第二末端(S2)，所述第一电极(6)连接至多个条带的第一条带(201)的第一末端(S1)，所述第二电极连接到所述多个条带的第n条带(30n)的第二末端，所述多个条带的每个条带的所述第二末端与所述多个条带中的连续条带的第一末端电接触。

8.根据前述权利要求中任一项所述的探测器，其特征在于，所述衬底的所述背面(10)具有小于2μm的粗糙度。

9.根据前述权利要求中任一项所述的探测器，其特征在于，包括一钝化层(4)，所述钝化层(4)在所述有取向的多晶层下方并与所述有取向的多晶层接触。

10.根据权利要求9所述的探测器，其特征在于，包括一粘附层(3)，位于所述有取向的多晶层和所述钝化层之间。

11.根据权利要求9所述的探测器，其特征在于，包括一吸收层(9)，叠加在所述衬底的顶表面(11)上。

12.根据前述权利要求中任一项所述的探测器，其特征在于，所述衬底的背面(11)被纹理化。

13.根据前述权利要求中任一项所述的探测器，其特征在于，所述衬底的所述至少一个陶瓷层由以下一种材料形成，所述一种材料选自以下组，组中包括：烧结氮化铝(AlN)、氮化硅(Si₃N₄)、碳化硅(SiC)、氮化硼(BN)、碳化硼(B₄C)和氧化铝(Al₂O₃)。