[发明专利]近红外(NIR)带通滤波器、NIR带通滤波器的制造方法及其用途

权利要求书

1.一种NIR带通滤波器的制造方法，所述方法包括以下步骤：

a)提供玻璃基板，所述玻璃基板在温度T₀具有长度L_0,GL并且具有小于1500kPa/K的比例因子I，其中，I由等式定义，其中E是杨氏模量，ν是泊松比，并且α是在20℃至300℃的范围内的热膨胀系数CTE；

b)在所述玻璃基板的至少一侧上沉积包括高折射率材料和低折射率材料的交替层的NIR带通涂层，使得所述高折射率材料与所述玻璃基板直接接触，并且具有长度L_CT,HRF，其中，所述玻璃基板在沉积所述涂层期间达到最大温度T_CT和最大长度L_CT,GL；

c)使涂覆的所述玻璃基板冷却至温度T₀，其中，T₀低于30℃，并且其中，所述玻璃在达到T₀时具有长度L_0,GL-L_TS,GL，其中，L_TS,GL指的是由于假想温度降低而导致的长度减少，

其中，涂覆的所述玻璃基板具有以下特性：

-当在步骤c)之后将所述玻璃加热到工作温度T_OT时，所述玻璃具有长度L_OT,GL-L_TS,GL，其中，T₀T_OTT_CT，并且

-与所述玻璃基板直接接触的所述高折射率材料在温度T_OT具有长度L_OT,HRF，其中，的差小于0.05。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述高折射率材料的折射率在2至4.5的范围内，和/或其中，所述低折射率材料的折射率在1.4至1.5的范围内。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其中所述高折射率材料选自由以下各项组成的组：氢化非晶硅a-Si:H、TiO₂、ZrO₂、Nb₂O₅、Ta₂O₅及其组合。

4.根据权利要求1或2所述的方法，其中在所述玻璃基板的至少一侧上提供所述NIR带通涂层的步骤包括：通过磁控溅射工艺涂覆所述高折射率材料。

5.根据权利要求1或2所述的方法，其中，T_CT的范围为200℃至500℃。

6.根据权利要求1或2所述的方法，其中，T_OT的范围为30℃至70℃。

7.根据权利要求1或2所述的方法，其中，所述方法包括在步骤c)之前或之后切割涂覆的所述玻璃基板的附加步骤，

其中，在切割温度T_DT，T₀≤T_DTT_CT，涂覆的所述玻璃基板具有以下特性：所述玻璃具有长度L_DT,GL-L_TS,GL，并且与所述玻璃基板直接接触的所述高折射率材料具有长度L_DT,HRF，其中，的差小于0.05。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述切割温度T_DT的范围为15℃至25℃。

9.一种NIR带通滤波器，其包括玻璃基板和至少一个涂层，其中所述玻璃基板具有小于1500kPa/K的比例因子I，其中，I由等式定义，其中，E是杨氏模量，ν是泊松比，α是在20℃至300℃的范围内的热膨胀系数CTE，并且其中，所述玻璃基板在工作温度T_OT的最大内部应力小于300MPa。

10.根据权利要求9所述的NIR带通滤波器，其中，所述NIR带通滤波器的厚度d的范围为0.02mm至2mm。