[发明专利]用于中段制程的布局技术在审
申请号: | 201880041233.2 | 申请日: | 2018-05-30 |
公开(公告)号: | CN110832642A | 公开(公告)日: | 2020-02-21 |
发明(设计)人: | T·T·威;T·萨胡;S·苏库玛拉皮莱;A·K·K·文卡特斯瓦尔 | 申请(专利权)人: | 高通股份有限公司 |
主分类号: | H01L29/417 | 分类号: | H01L29/417;H01L21/8234 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 傅远 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 中段 布局 技术 | ||
1.一种管芯,包括:
一个或多个鳍;
栅极,形成在所述一个或多个鳍的第一部分之上;
第一源极/漏极接触,形成在所述一个或多个鳍的第二部分之上,其中所述第一源极/漏极接触包括不与所述一个或多个鳍重叠的延伸部分;
第一金属线和第二金属线,由第一金属层形成,其中所述第一金属线和所述第二金属线被间隔开;
第一过孔,将所述第一源极/漏极接触连接到所述第一金属线;以及
第二过孔,将所述第一源极/漏极接触连接到所述第二金属线,其中所述第二过孔位于所述第一源极/漏极接触的所述延伸部分内。
2.根据权利要求1所述的管芯,其中所述第一过孔与所述一个或多个鳍重叠。
3.根据权利要求1所述的管芯,其中所述一个或多个鳍包括多个鳍。
4.根据权利要求3所述的管芯,其中所述多个鳍在所述第一源极/漏极接触下方被合并。
5.根据权利要求1所述的管芯,进一步包括:
第三金属线,由第二金属层形成,其中所述第二金属层在所述第一金属层上方;
第三过孔,将所述第一金属线连接到所述第三金属线;以及
第四过孔,将所述第二金属线连接到所述第三金属线。
6.根据权利要求5所述的管芯,其中所述第三金属线垂直于所述第一金属线和所述第二金属线。
7.根据权利要求5所述的管芯,其中所述第三金属线平行于所述第一源极/漏极接触走线。
8.根据权利要求1所述的管芯,进一步包括:
第二源极/漏极接触,形成在所述一个或多个鳍的第三部分之上,其中所述第二源极/漏极接触包括不与所述一个或多个鳍重叠的延伸部分;
第三金属线和第四金属线,由所述第一金属层形成,其中所述第三金属线和所述第四金属线被间隔开;
第三过孔,将所述第二源极/漏极接触连接到所述第三金属线,其中所述第三过孔位于所述第二源极/漏极接触的所述延伸部分内;以及
第四过孔,将所述第二源极/漏极接触连接到所述第四金属线。
9.根据权利要求8所述的管芯,其中所述第一源极/漏极接触的所述延伸部分和所述第二源极/漏极接触的所述延伸部分位于所述一个或多个鳍的相对侧。
10.根据权利要求8所述的管芯,其中所述第一过孔和所述第四过孔中的每个均与所述一个或多个鳍重叠。
11.根据权利要求8所述的管芯,其中所述一个或多个鳍包括多个鳍。
12.根据权利要求8所述的管芯,其中所述第一金属线、所述第二金属线、所述第三金属线和所述第四金属线彼此平行地走线。
13.根据权利要求8所述的管芯,其中所述第一源极/漏极接触和所述第二源极/漏极接触位于所述栅极的相对侧。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于高通股份有限公司,未经高通股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201880041233.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类