[发明专利]氧化物烧结体、溅射靶和氧化物薄膜的制造方法

权利要求书

1.一种氧化物烧结体，其以满足以下的式(1)～(3)的原子比含有铟、镓和锌，其由单相的晶体相构成，对于所述晶体相，在采用以CuKα线为线源的X射线衍射测定得到的图中，在以下的A～P的区域观测到衍射峰，

0.01≤In/(In+Ga+Zn)＜0.20 (1)

0.10≤Ga/(In+Ga+Zn)≤0.49 (2)

0.50≤Zn/(In+Ga+Zn)≤0.89 (3)

A.24.5°～26.0°

B.31.0°～32.5°

C.32.5°～33.2°

D.33.2°～34.0°

E.34.5°～35.7°

F.35.7°～37.0°

G.38.0°～39.2°

H.39.2°～40.5°

I.43.0°～45.0°

J.46.5°～48.5°

K.55.5°～57.8°

L.57.8°～59.5°

M.59.5°～61.5°

N.65.5°～68.0°

O.68.0°～69.0°

P.69.0°～70.0°。

2.根据权利要求1所述的氧化物烧结体，其以满足以下的式(4)～(6)的原子比含有铟、镓和锌，

0.05≤In/(In+Ga+Zn)≤0.15 (4)

0.15≤Ga/(In+Ga+Zn)≤0.45 (5)

0.50≤Zn/(In+Ga+Zn)≤0.80 (6)。

3.根据权利要求1或2所述的氧化物烧结体，其以满足以下的式(7)～(9)的原子比含有铟、镓和锌，

0.05≤In/(In+Ga+Zn)≤0.15 (7)

0.20≤Ga/(In+Ga+Zn)≤0.40 (8)

0.50≤Zn/(In+Ga+Zn)≤0.70 (9)。

4.根据权利要求1或2所述的氧化物烧结体，其中，所述晶体相的平均粒径为15.0μm以下。

5.根据权利要求1或2所述的氧化物烧结体，其相对密度为97.0％以上。

6.根据权利要求1或2所述的氧化物烧结体，其抗弯强度为40MPa以上。

7.根据权利要求1或2所述的氧化物烧结体，其电阻率为40mΩ·cm以下。

8.一种溅射靶，其由权利要求1～7中任一项所述的氧化物烧结体制成。

9.根据权利要求8所述的溅射靶，其表面粗糙度的最大高度Ry为15.0μm以下。

10.根据权利要求8或9所述的溅射靶，其色差ΔE^＊为10以下。

11.一种氧化物薄膜的制造方法，其中，对权利要求8～10中任一项所述的溅射靶进行溅射而成膜。