[发明专利]静电卡盘及其制法

说明书

一种静电卡盘(20)，其具备：圆板状的陶瓷基体(22)，其在作为圆形表面的晶片载置面(28a)的外侧具有比晶片载置面(28a)低的环状台阶面(24a)，且具有能够发挥库仑力的体积电阻率；晶片吸附用电极(32)，其埋设于陶瓷基体(22)的内部中与晶片载置面(28a)相对的位置；聚焦环吸附用电极(38)，其在陶瓷基体(22)的环状台阶面(24a)上与晶片吸附用电极(32)独立地设置；以及喷镀膜(28)，其被覆设置有聚焦环吸附用电极(38)的环状台阶面(24a)，具有能够发挥约翰逊‑拉别克力的体积电阻率。喷镀膜(28)的上表面为用于载置聚焦环的聚焦环载置面(28a)。

技术领域

本发明涉及静电卡盘及其制法。

背景技术

一直以来，已知等离子体蚀刻装置、等离子体CVD装置、等离子体灰化装置等等离子体处理装置。在这样的等离子体处理装置中，通常在真空腔室内设置有用于载置晶片的晶片载置装置。晶片载置装置具备：用于将实施等离子体处理的晶片吸附固定于晶片载置面的静电卡盘、以及将该静电卡盘进行冷却的冷却板。作为静电卡盘，使用在绝缘体或电介质(大多为陶瓷)中埋设有内部电极的静电卡盘等。在这样的晶片载置装置中，在将晶片载置于晶片载置面的状态下对于内部电极施加直流电压以产生静电力(库仑力或约翰逊-拉别克力)，从而将晶片吸附固定于晶片载置面。并且，在该状态下，以与晶片接触的方式产生等离子体。在晶片载置面的外周，有时会设置能够更换的聚焦环。聚焦环载置于与晶片载置面相比处于低处的聚焦环载置面，具有使等离子体稳定地产生至晶片的外周缘的作用、保护静电卡盘的表面的作用。在对晶片实施等离子体处理时，不仅晶片会暴露于等离子体，而且该聚焦环也会暴露于等离子体，因此温度上升。吸附固定于静电卡盘的晶片经由静电卡盘被冷却板冷却。然而，聚焦环比静电卡盘厚得多，因此有时无法充分地吸附于静电卡盘而温度上升变得过度，由此晶片的外周缘的温度变高，存在等离子体处理工艺的成品率变差的担忧。

因此，在专利文献1中，在经氧化铝膜处理的铝制的静电卡盘中，使晶片载置面所使用的电介质与聚焦环载置面所使用的电介质的电阻率不同，利用库仑力来吸附晶片，利用约翰逊-拉别克力来吸附聚焦环。此外，在专利文献2中，在同一陶瓷内除了晶片吸附用的电极以外另行设置聚焦环吸附用的电极，仅将施加于聚焦环吸附用的电极的卡盘电压根据等离子体处理的工序进行变更，在聚焦环容易成为高温的蚀刻工序中提高卡盘电压来提高吸附力。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利第4559595号公报

专利文献2：日本特开2010-183074号公报

发明内容

发明所要解决的课题

然而，在专利文献1中，由于晶片载置面和聚焦环载置面使用共同的电极，因此不能对晶片和聚焦环分别设定适当的电压。另一方面，在专利文献2中，在同一陶瓷内设有晶片吸附用的电极和聚焦环吸附用的电极，因此难以利用库仑力来吸附晶片且利用约翰逊-拉别克力来吸附聚焦环。由此，即使使用专利文献1、2的静电卡盘，有时也不能充分地冷却聚焦环，期望能够充分地吸附聚焦环的静电卡盘。

本发明是为了解决这样的课题而提出的，其主要目的在于提供能够充分吸附聚焦环的静电卡盘。

用于解决课题的方法

本发明的静电卡盘具备：

圆板状的第1陶瓷构件，其在作为圆形表面的晶片载置面的外侧具有比上述晶片载置面低的环状台阶面，且具有能够发挥库仑力的体积电阻率；

第1电极，其埋设于上述第1陶瓷构件的内部中与上述晶片载置面相对的位置；

第2电极，其在上述第1陶瓷构件的上述环状台阶面上与上述第1电极独立地设置的；以及

环状的第2陶瓷构件，其被覆设置有上述第2电极的上述环状台阶面，且具有能够发挥约翰逊-拉别克力的体积电阻率，