[发明专利]发光元件及其制造方法

权利要求书

1.一种制造发光元件的方法，所述方法至少包括以下步骤：

形成包含GaN基化合物半导体的堆叠结构，并且在所述堆叠结构中堆叠以下层：

第一化合物半导体层，具有第一面和与第一面相对的第二面，

有源层，面对所述第一化合物半导体层的第二面，以及

第二化合物半导体层，具有面对所述有源层的第一面和与该第一面相对的第二面，并且在所述第一化合物半导体层的第一面侧形成凹面镜部；

然后，在所述第二化合物半导体层上形成光敏材料层；

之后，使所述光敏材料层暴露于通过所述堆叠结构的来自所述凹面镜部侧的光，以获得包括所述光敏材料层的处理掩模层；以及

之后，通过使用所述处理掩模层来处理所述第二化合物半导体层。

2.根据权利要求1所述的制造发光元件的方法，其中，在通过使用所述处理掩模层处理所述第二化合物半导体层时，所述第二化合物半导体层形成有电流限制区。

3.根据权利要求2所述的制造发光元件的方法，其中，在通过使用所述处理掩模层处理所述第二化合物半导体层时，使用所述处理掩模层进行离子注入。

4.根据权利要求2所述的制造发光元件的方法，其中，在通过使用所述处理掩模层处理所述第二化合物半导体层时，使用所述处理掩模层对第二化合物半导体层进行灰化处理。

5.根据权利要求2所述的制造发光元件的方法，其中，在通过使用所述处理掩模层处理所述第二化合物半导体层时，使用所述处理掩模层对所述第二化合物半导体层进行反应蚀刻处理。

6.根据权利要求2所述的制造发光元件的方法，其中，在通过使用所述处理掩模层处理所述第二化合物半导体层时，使用所述处理掩模层进行等离子体照射。

7.根据权利要求2所述的制造发光元件的方法，其中，在通过使用所述处理掩模层处理所述第二化合物半导体层时，通过使用所述处理掩模层对形成在所述第二化合物半导体层上的绝缘膜进行蚀刻。

8.根据权利要求2所述的制造发光元件的方法，还包括：

使所述第二化合物半导体层形成有所述电流限制区，然后在所述第二化合物半导体层上形成第二电极，并且在所述第二电极上形成第二光反射层；以及

在所述凹面镜部上形成第一光反射层，并且形成电连接到所述第一化合物半导体层的第一电极。

9.根据权利要求1所述的制造发光元件的方法，还包括：

在所述凹面镜部的一部分上、或在从所述凹面镜部的一部分的上侧到其外侧区域的范围内、或在第一光反射层的一部分上、或者从所述第一光反射层的一部分的上侧到其外侧区域的范围内形成遮光部。

10.根据权利要求1所述的制造发光元件的方法，其中，

所述第一化合物半导体层的第一面与基板的第二面接触，

所述凹面镜部形成在所述基板的与所述基板的第二面相对的第一面上，并且

形成所述凹面镜部包括对所述基板的第一面进行蚀刻。

11.根据权利要求1所述的制造发光元件的方法，其中，

所述第一化合物半导体层的第一面与基板的第二面接触，

所述凹面镜部形成在所述基板的与所述基板的第二面相对的第一面上，并且

形成所述凹面镜部包括：在所述基板的第一面上形成凹面镜部形成层，然后使所述凹面镜部形成层形成有所述凹面镜部。

12.根据权利要求1所述的制造发光元件的方法，其中，所述第一化合物半导体层的第一面形成有所述凹面镜部。

13.根据权利要求1所述的制造发光元件的方法，其中，在所述第一化合物半导体层侧的上侧配置具有开口的掩模构件，并且使所述光敏材料层暴露于通过所述堆叠结构的来自凹面镜部侧的光。

14.根据权利要求1所述的制造发光元件的方法，其中，所述光敏材料层包括阻抗材料或光敏树脂。