[发明专利]键合垫层系统、气体传感器和用于制造气体传感器的方法

权利要求书

1.键合垫层系统(1)，该键合垫层系统包括：

作为基底的半导体芯片(11)，在该半导体芯片上依次沉积有：

钽层(6)，

第一铂层(5)，

氮化钽层(4)，

第二铂层(3)，和

金层(2)，

其中，在所述金层(2)中构造用于与键合线(8a)连接的至少一个键合垫(8)。

2.根据权利要求1所述的键合垫层系统(1)，其中，所述半导体芯片(11)是微机械半导体芯片，在该微机械半导体芯片中集成有包括介电层(13、14)的至少一个悬置的介电膜片、铂印制导线(10)和由铂制成的加热件(15)。

3.根据权利要求1或2所述的键合垫层系统(1)，其中，至少一个键合垫(8)基本上位于所述半导体芯片(11)上的接触孔(9)的区域中，在该接触孔中借助于环形接触部实现引导至所述加热件(15)的铂印制导线(10)的电接触。

4.根据权利要求1、2或3所述的键合垫层系统(1)，其中，至少一个键合垫(8)基本上位于所述半导体芯片(11)上的所述接触孔(9)外部的区域中。

5.根据前述权利要求中任一项所述的键合垫层系统(1)，其中，

所述钽层(6)的层厚度为2-200纳米，

所述第一铂层(5)的层厚度为50-1000纳米，

所述氮化钽层(4)的层厚度为2-200纳米，

所述第二铂层(3)的层厚度为2-400纳米，并且

所述金层(2)的层厚度为50-1000纳米。

6.根据前述权利要求中任一项所述的键合垫层系统(1)，其中，

所述钽层(6)的层厚度为5-50纳米，

所述第一铂层(5)的层厚度为100-500纳米，

所述氮化钽层(4)的层厚度为5-50纳米，

所述第二铂层(3)的层厚度为10-150纳米，并且

所述金层(2)的层厚度为200-600纳米。

7.根据前述权利要求中任一项所述的键合垫层系统(1)，其中，由钽(Ta)和氮气(N₂)制成的所述氮化钽层(4)的层组分处于Ta_xN_y的关系中，其中，x能够在1和5之间变化并且y能够在0.04和6之间变化。

8.根据前述权利要求中任一项所述的键合垫层系统(1)，其中，所述氮化钽层(4)的层组分是化学计量的。

9.根据前述权利要求中任一项所述的键合垫层系统(1)，其中，所述钽层(6)和所述第一铂层(5)构造为电极(7a)和印制导线(7b)。

10.气体传感器，包括至少一个根据前述权利要求所述的键合垫层系统(1)和膏点(7)。

11.用于制造包括键合垫层系统(1)和膏点(7)的气体传感器的方法，所述方法具有呈以下顺序的步骤：

a)提供作为基底的微机械半导体芯片(11)，在该微机械半导体芯片中集成有由介电层(13、14)组成的至少一个悬置的介电膜片和用于由铂制成的加热件(15)的电接触的铂印制导线(10)，

b)沉积钽层(6)，

c)沉积第一铂层(5)，

d)沉积氮化钽层(4)，

e)沉积第二铂层(3)，

f)沉积金层(2)，

g)在所述半导体芯片(11)上的接触孔(9)的区域中在所述金层(2)上构造用于与键合线(8a)连接的至少一个键合垫(8)，在该接触孔中借助于环形接触部实现引导至所述加热件(15)的铂印制导线(10)的连接，并且在接触孔(9)外部构造至少一个键合垫(8)，该键合垫用于电极结构7a和印制导线7b的电接触。

h)构造电极结构7a和印制导线7b，

i)构造膏点(7)，和

j)烧结所述膏点(7)。