[发明专利]具有改善的抗老化性的电子设备

权利要求书

1.一种电子设备(50；70；80；100)，其包含：

基板(12)；

覆盖基板的第一氧密水密保护层(52)；

至少一个位于第一保护层上并包含至少一个有机半导体区域(86、88、90；106)的电子元件(18)；

覆盖电子元件的绝缘聚对二甲苯层(72)；

氧密水密封装层(66)，其包含环氧胶或丙烯酸酯胶，完全覆盖所述有机半导体区域，所述绝缘层位于封装层和电子元件之间；

完全覆盖封装层的第二氧密水密保护层(64)；和

覆盖第二保护层的支撑层(62)。

2.如权利要求1所述的电子设备，其中所述基板(12)和/或支撑层(62)包含塑料层，所述塑料层特别是由聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚酰亚胺(PI)、三醋酸纤维素(TAC)、环烯烃共聚物(COP)、聚醚醚酮(PEEK)或这些化合物的混合物制成。

3.如权利要求1或2所述的电子设备，其中第一保护层和第二保护层(52、64)均包含至少一层选自氮化硅、氮化铝、氧化铝、氧化硅以及这些化合物中的至少两种的混合物的无机材料。

4.如权利要求1至3中任一项所述的电子设备，其中所述封装层(66)进一步在电子元件(18)周围的第一保护层和第二保护层(52、64)之间延伸。

5.如权利要求1至4中任一项所述的电子设备，其中所述电子元件(18)上的封装层(66)的厚度在1μm至50μm的范围内。

6.如权利要求1至5中任一项所述的电子设备，其中所述第一保护层(52)和/或所述第二保护层(64)的厚度在10nm至500nm的范围内。

7.如权利要求1至6中任一项所述的电子设备，其中所述电子元件(18)包含有机光电二极管、有机发光二极管或有机晶体管。

8.如权利要求1至7中任一项所述的电子设备，其中所述电子元件(18)包含：

在第一保护层(52)上方延伸的第一电极和第二电极(82、84)；

至少部分地在第一电极上方延伸的第一界面层(86)；

至少部分地在第一界面层(86)上方延伸的有机有源区域(88)；

至少部分地在有源区域(88)上方延伸的第二界面层(90)，封装层(66)完全覆盖第二界面层和有源区域。

9.如权利要求8所述的电子设备，其中所述电子元件(18)能够发射或捕获电磁辐射，并且其中，所述有源区域(88)是其中由光电元件提供的大部分电磁辐射被发射或其中由光电元件接收到的电磁辐射到电信号的大部分转换发生的区域。

10.一种制造电子设备(50；70；80；100)的方法，其包含以下连续步骤：

a)形成覆盖有第一氧密水密保护层(52)的基板(12)；

b)在第一保护层上形成至少一个电子元件(18)，所述电子元件包含至少一个有机半导体区域(86、88、90；106)和覆盖所述电子元件的绝缘聚对二甲苯层(72)；和

c)将覆盖有第二氧密水密保护层(64)的支撑层(62)在第二保护层侧通过氧密水密封装层(66)胶合在电子元件(18)上，所述氧密水密封装层包含环氧胶或丙烯酸酯胶，完全覆盖有机半导体区域，所述绝缘层位于封装层和电子元件之间。

11.如权利要求10所述的方法，其中步骤c)包含以下连续步骤：

至少在电子元件(18)的一部分上方沉积封装层(66)的材料的前体；

将覆盖有第二保护层(64)的支撑层(62)在第二保护层侧施加在前体上；和

使前体交联。