[发明专利]雪崩二极管装置和控制雪崩二极管装置的方法

权利要求书

1.一种雪崩二极管装置，包括：

雪崩二极管(11)，其具有连接到第一节点(15)的阳极和连接到第一电压端子(14)的阴极，

锁存比较器(12)，其具有连接到所述第一节点(15)的第一输入(16)，用于接收参考电压(VREF)的第二输入(17)和用于接收比较器使能信号(CLK)的使能输入(21)，以及

猝熄电路(13)，其连接到所述第一节点(15)。

2.根据权利要求1所述的雪崩二极管装置，

包括数字控制电路(18)，所述数字控制电路具有：

节点输入(19)，其连接到所述第一节点(15)，以及

使能输出(20)，其连接到所述锁存比较器(12)的使能输入(21)。

3.根据权利要求2所述的雪崩二极管装置，

其中，所述数字控制电路(18)配置为根据所述第一节点(15)处分接的节点电压(VAN)来产生所述比较器使能信号(CLK)。

4.根据权利要求2或3所述的雪崩二极管装置，

其中，所述数字控制电路(18)包括反相器(90)，所述反相器的输入耦合到所述节点输入(19)，并且其输出耦合到所述使能输出(20)。

5.根据权利要求4所述的雪崩二极管装置，

其中，所述数字控制电路(18)包括触发器(92)，所述触发器的输入耦合到所述反相器(90)的输出，并且其输出耦合到所述使能输出(20)。

6.根据权利要求1至5之一所述的雪崩二极管装置，

包括分压器(40)，所述分压器将所述第一节点(15)耦合到第二电压端子(38)，其中，所述分压器(40)的分压器抽头(41)耦合到所述锁存比较器(12)的第一输入(16)。

7.根据权利要求1至6之一所述的雪崩二极管装置，

其中，所述锁存比较器(12)配置为在所述比较器使能信号(CLK)的第一逻辑值的情况下根据所述锁存比较器(12)的第一输入和第二输入(16、17)处的电压的比较来产生比较器输出信号(SCO)，并且在所述比较器使能信号(CLK)的第二逻辑值的情况下产生具有恒定值的比较器输出信号(SCO)。

8.根据权利要求1至7之一所述的雪崩二极管装置，

其中，所述锁存比较器(12)包括

-第一输入晶体管(71)，其控制端子耦合到所述锁存比较器(12)的第一输入(16)，

-第二输入晶体管(72)，其控制端子耦合到所述锁存比较器(12)的第二输入(17)，以及

-电流源晶体管(70)，其控制端子耦合到所述锁存比较器(12)的使能输入(21)，并且其第一端子耦合到所述第一输入晶体管(71)的第一端子和所述第二输入晶体管(72)的第一端子。

9.根据权利要求1至8之一所述的雪崩二极管装置，

其中，所述锁存比较器(12)包括第一控制晶体管(82)，所述第一控制晶体管的控制端子耦合到所述锁存比较器(12)的使能输入(21)，并且所述第一控制晶体管的第一端子耦合到所述锁存比较器(12)的比较器输出(24)。

10.根据权利要求1至9之一所述的雪崩二极管装置，

包括

-偏置电压发生器(49)，其耦合到所述第一电压端子(14)，以及

-控制电路(46)，其第一输入(47)耦合到所述锁存比较器(12)的比较器输出(24)，并且其控制输出(50)耦合到所述偏置电压发生器(49)的控制输入。

11.根据权利要求10所述的雪崩二极管装置，

其中，所述偏置电压发生器(49)和所述控制电路(46)配置为在所述锁存比较器(12)的比较器输出信号(SCO)指示所述锁存比较器(12)的第一输入(16)处的电压小于参考电压(VREF)的情况下，增大由所述偏置电压发生器(49)产生的偏置电压(VHV)。