[发明专利]用于图案化表面上覆层的方法和包括图案化覆层的装置

权利要求书

1.一种光电子装置，其包括：

衬底，所述衬底包括第一区域和第二区域；和

传导性覆层，所述传导性覆层覆盖所述衬底的第二区域，

成核抑制覆层，所述成核抑制覆层覆盖所述衬底的第一区域，

其中所述衬底的第一区域从所述传导性覆层暴露，和与所述衬底的第一区域邻近的所述传导性覆层的边缘具有大于20度的接触角；并且

其中所述成核抑制覆层包含含有由结构(I-d)表示的末端部分的化合物：

并且

其中Rc表示至少一种取代基，其独立地选自：氘代、氟代、烷基、环烷基、甲硅烷基和氟烷基中的至少一种。

2.根据权利要求1所述的光电子装置，其中所述接触角大于50度。

3.根据权利要求1所述的光电子装置，其中所述接触角大于90度。

4.根据权利要求1所述的光电子装置，其中所述接触角为至少100度。

5.根据权利要求1所述的光电子装置，其中所述传导性覆层的厚度朝向所述传导性覆层的边缘逐渐变小。

6.根据权利要求5所述的光电子装置，其中所述传导性覆层邻近所述传导性覆层的边缘以凸凹轮廓逐渐变小。

7.根据权利要求1所述的光电子装置，其中所述成核抑制覆层包括：

(a)2-(4-叔丁基苯基)-5-(4-联苯基)-1,3,4-二唑，

(b)2-(4-联苯基)-5-苯基-1,3,4-二唑，

(c)1,3-双(N-咔唑基)苯，

(d)3-(4-联苯基)-4-苯基-5-叔丁基苯基-1,2,4-三唑，

(e)N,N'-二苯基-N,N'-二(2-萘基)-(1,1'-联苯基)-4,4'-二胺，

(f)4-(1-萘基)-3,5-二苯基-4H-1,2,4-三唑,

(g)3,5-双[4-(1,1-二甲基乙基)苯基]-4-苯基-4H-1,2,4-三唑，

(h)2,5-双(1-萘基)-1,3,4-二唑，

(i)2-叔丁基-9,10-二(萘-2-基)蒽,

(j)4,4′-双(N-咔唑基)-1,1′-联苯基,

(k)双(2-甲基-8-喹啉酸)-4-(苯基苯酚合)铝，

(l)9-[1,1'-联苯基]-3-基-9H-咔唑，

(m)三[2-苯基吡啶合-C²,N]铱(III)，或

(n)其两种或多种的组合。

8.根据权利要求1所述的光电子装置，其中所述成核抑制覆层包括：

(a)1,3-双(N-咔唑基)苯,

(b)3-(4-联苯基)-4-苯基-5-叔丁基苯基-1,2,4-三唑，

(c)4-(1-萘基)-3,5-二苯基-4H-1,2,4-三唑，

(d)3,5-双[4-(1,1-二甲基乙基)苯基]-4-苯基-4H-1,2,4-三唑，

(e)双(2-甲基-8-喹啉酸)-4-(苯基苯酚合)铝，或

(f)其两种或多种的组合。

9.根据权利要求1所述的光电子装置，其中所述成核抑制覆层包括：

(a)1,3-双(N-咔唑基)苯，

(b)4-(1-萘基)-3,5-二苯基-4H-1,2,4-三唑，

(c)3,5-双[4-(1,1-二甲基乙基)苯基]-4-苯基-4H-1,2,4-三唑，或

(d)其两种或多种的组合。

10.根据权利要求1所述的光电子装置，其中所述传导性覆层包括镁。

11.根据权利要求1所述的光电子装置，其中所述衬底的所述第一区域包括发射区域，和所述衬底的所述第二区域包括非发射区域。

12.根据权利要求1所述的光电子装置，其中所述光电子装置是有机发光二极管(OLED)装置。