[发明专利]窗口的硬度类似于抛光层的抛光垫

说明书

实施例涉及抛光垫，其包括硬度与其抛光层类似的窗口。因为抛光垫包括硬度和抛光率与其抛光层类似的窗口，所以它能产生防止CMP工艺期间划伤晶片的效果。另外，抛光垫的抛光层和窗口相对于温度具有类似的硬度改变率，因此它们可保持类似的硬度，而与CMP工艺期间温度的改变无关。

技术领域

实施例涉及抛光垫，其包括硬度与其抛光层类似的窗口。因为抛光垫包括硬度和抛光率与其抛光层类似的窗口，所以它可产生防止在化学机械平面化(CMP)工艺期间划伤晶片的效果。

背景技术

用于CMP工艺的抛光垫是在用于半导体制造的CMP工艺中起重要作用的基本元件。它在实现CMP工艺的性能上起重要作用。CMP工艺是指用于平面化半导体晶片表面的步骤以便给后续的加工步骤带来便利。已经提出了各种方法来决定在这样的CMP工艺中半导体晶片何时已经抛光到所希望的程度。例如，已经提出了这样的技术，其中光学检测半导体晶片以决定抛光的终点。光学检测可通过在抛光垫中形成透明窗口来实现，这能检查抛光状态等，并且利用通过窗口的诸如激光的光学信号。在平面化工艺期间通过表面反射率的变化决定终点。

与抛光层不同，窗口通常制造为透明的而没有微结构和图案以便提高透射比(见韩国专利No.0707959)。但是，这样的窗口结构特征由于在CMP工艺中抛光层和窗口之间的抛光率和硬度可能引起这样物理性能上的差别，这可能导致在CMP工艺期间晶片表面划伤的缺陷。

发明内容

技术问题

因此，实施例的目标是提供一种抛光垫，其包括硬度和抛光率与其抛光层类似的窗口，并且能防止在CMP工艺期间晶片表面划伤的缺陷。

问题的解决方案

根据实施例，提供一种抛光垫，其包括具有贯穿孔的抛光层；以及插入贯穿孔中的窗口，其中窗口和抛光层之间的湿硬度之差为0.1邵氏D硬度至12邵氏D硬度，并且湿硬度为在水中浸渍30分钟时测得的表面硬度。

本发明的有益效果

根据实施例的抛光垫包括硬度和抛光率与其抛光层类似的窗口，并且它能防止在CMP工艺期间晶片表面划伤的缺陷。

另外，根据实施例的抛光垫的抛光层和窗口相对于温度具有类似的硬度改变率，从而它们保持类似的硬度而与CMP工艺期间温度上的变化无关。

附图说明

图1和2示出了根据实施例的抛光垫的截面图。

附图标记

101:抛光层 102:窗口

103:粘合剂层 104:支撑层

201:贯穿孔或第一贯穿孔

202:第二贯穿孔 203:第三贯穿孔

具体实施方式

根据实施例的抛光垫包括具有贯穿孔的抛光层；以及插入贯穿孔中的窗口，其中窗口和抛光层之间的湿硬度之差为0.1邵氏D硬度至12邵氏D硬度，并且湿硬度是在水中浸渍30分钟时测得的表面硬度。

参见图1，根据实施例的抛光垫包括具有贯穿孔(201)的抛光层(101)和插入贯穿孔中的窗口(102)。

窗口

窗口在30℃至70℃的温度范围内可具有50邵氏D硬度至75邵氏D硬度的湿硬度。具体而言，窗口在30℃至70℃的温度范围内可具有50邵氏D硬度至65邵氏D硬度、52邵氏D硬度至65邵氏D硬度、52邵氏D硬度至63邵氏D硬度或60邵氏D硬度至75邵氏D硬度的湿硬度。