[发明专利]具有电阻器的存储器单元及其形成

权利要求书

1.一种形成存储器单元的方法，其包括：

形成第一导电线；

形成第二导电线；及

在所述第一导电线与所述第二导电线之间形成存储器元件，其中形成所述存储器元件包含：

形成一或多种存储器材料；及

形成与所述一或多种存储器材料串联的电阻器，其中所述电阻器经配置以在所述存储器元件的状态转变期间减少通过所述存储器元件的电容性放电。

2.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述电阻器包含形成跨多个存储器单元连续的电阻器材料。

3.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述一或多种存储器材料包含形成既用作存储元件又用作开关元件的单种存储器材料。

4.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述一或多种存储器材料包含形成用作所述存储器元件的存储元件的第一存储器材料及用作所述存储器元件的开关元件的第二存储器材料。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述电阻器是形成在所述第一导电线与所述存储器元件之间的第一电阻器，且其中所述方法包含在所述第二导电线与所述存储器元件之间形成至少第二电阻器。

6.根据权利要求5所述的方法，其中形成所述第一电阻器及所述至少第二电阻器中的至少一者包含形成跨多个存储器单元连续的电阻器材料。

7.根据权利要求5所述的方法，其中：

所述第一导电线包括第一导电材料，所述第二导电线包括第二导电材料，所述第一电阻器包括第一电阻器材料，且所述第二电阻器包括第二电阻器材料，且其中所述方法包含：

在所述第一导电材料上形成所述第一电阻器材料；

在所述第二电阻器材料上形成所述第二导电材料；

通过穿过所述第一导电材料、所述第一电阻器材料、所述开关元件及所述存储元件执行第一蚀刻来形成所述第一导电线；及

通过穿过所述第二导电材料、所述第二电阻器材料、所述开关元件及所述存储元件执行第二蚀刻来形成所述第二导电线。

8.根据权利要求7所述的方法，其中形成所述第二导电线进一步包含蚀刻穿过所述第一电阻器材料。

9.根据权利要求7所述的方法，其中所述方法包含在执行所述第一蚀刻之前形成所述第二电阻器材料使得执行所述第一蚀刻包含蚀刻穿过所述第二电阻器材料。

10.一种存储器单元阵列，其包括：

多条第一导电线，其经形成在第一方向上；

多条第二导电线，其经形成在第二方向上；及

多个存储器单元，其经定位在所述多条第一导电线与所述多条第二导电线之间，所述多个存储器单元中的每一者包括：

存储器元件，其包括一或多种存储器材料；及

电阻器，其中所述电阻器由跨所述多个存储器单元中的多个存储器单元连续的电阻器材料形成。

11.根据权利要求10所述的阵列，其中所述电阻器经形成为与所述多条第一导电线中的相应者直接接触使得所述电阻器跨耦合到所述相应第一导电线的多个存储器单元连续。

12.根据权利要求11所述的阵列，其中所述多个单元存储器单元中的每一者进一步包括所述电阻器与所述多条第一导电线中的所述相应者之间的电极。

13.根据权利要求10所述的阵列，其中所述电阻器包括第一电阻器，且其中所述多个存储器单元中的每一者进一步包括第二电阻器，且其中：

所述第一电阻器经形成在所述存储器元件与所述第一导电线中的相应者之间；且

所述第二电阻器经形成在所述存储器元件与所述第二导电线中的相应者之间。