[发明专利]具有低电容场板结构的晶体管

权利要求书

1.一种场效应晶体管(FET)，包括：

沿半导体的表面横向布置的第一电极结构、栅极电极结构和第二电极结构，所述栅极控制所述第一电极结构和所述第二电极结构之间的载流子的流动；

场板结构：具有连接至所述第一电极结构的一端；以及具有布置在所述栅极电极结构和所述第二电极结构之间的第二端，所述第二端通过间隙与所述第二电极结构分开；以及

介电结构，布置在所述半导体之上，具有：布置在所述场板结构的所述第二端下的第一部分；以及在所述间隙下的较薄的第二部分。

2.根据权利要求1所述的场效应晶体管(FET)，其中，所述场效应晶体管(FET)是源极连接的场板场效应晶体管(FET)。

3.根据权利要求1所述的场效应晶体管(FET)，包括所述介电结构的第三部分中的第二间隙，所述第二间隙布置在所述第一电极结构和所述栅极电极结构之间；并且，其中在所述第二间隙下的所述介电结构的第三部分比所述介电结构的所述第一部分更薄。

4.根据权利要求1所述的场效应晶体管(FET)，其中，所述介电结构的所述第一部分包含：底层；布置在所述底层上的中间层；以及布置在所述中间层上的上层；其中，所述介电层的所述第二部分包含所述底层的延伸部分；其中所述上层和所述底层为相同的材料；并且其中所述中间层为不同于所述上层和所述底层的材料。

5.根据权利要求1所述的场效应晶体管(FET)，其中，所述介电结构的所述第一部分包含：底层；布置在所述底层上的中间层；以及布置在所述中间层上的上层；其中，所述介电层的所述第二部分包含所述底层的延伸部分；其中，所述中间层是蚀刻停止层。

6.根据权利要求5所述的FET，其中，对预定蚀刻剂，所述底层和所述上层的蚀刻速率比所述中间层的蚀刻速率大至少一个数量级。

7.根据权利要求5所述的FET，其中，对不同于上述预定蚀刻剂的蚀刻剂，所述中间层的蚀刻速率快于所述底层的蚀刻速率。

8.一种场效应晶体管(FET)，包括：

半导体；

沿所述半导体的表面横向布置的源极、漏极和栅极电极结构；

在所述半导体的所述表面之上横向延伸的介电结构；

场板结构，在一端处连接到所述源极和漏极电极结构之一，并且具有布置在所述栅极电极与所述源极和漏极电极结构中的另一个之间的所述半导体的第一区域之上的第二端，所述场板结构的所述第二端与所述源极和漏极电极结构中的所述另一个通过间隙隔开；以及

其中，所述介电结构包括：

垂直布置在所述场板结构的所述第二端和所述半导体之间的第一部分；以及，

第二部分，其厚度比所述第一部分薄，并且布置在所述间隙下所述半导体的所述表面的第二区域之上。

9.根据权利要求8所述的场效应晶体管(FET)，其中，所述介电结构的所述第一部分包含：底层；布置在所述底层上的中间层；以及布置在所述中间层上的上层；其中，所述介电层的所述第二部分包含所述底层的延伸部分；其中所述上层和所述底层为相同的材料；并且其中所述中间层是不同于所述上层和所述底层的材料。

10.根据权利要求8所述的场效应晶体管(FET)，其中，所述介电结构的所述第一部分包含：底层；布置在所述底层上的中间层；以及布置在所述中间层上的上层；其中，所述介电层的所述第二部分包含所述底层的延伸部分；其中，所述中间层是蚀刻停止层。

11.根据权利要求10所述的场效应晶体管，其中，对预定蚀刻剂，所述底层和所述上层的蚀刻速率比所述中间层的蚀刻速率大至少一个数量级。

12.根据权利要求10所述的场效应晶体管，其中，对不同于上述预定蚀刻剂的蚀刻剂，所述中间层的蚀刻速率快于所述底层的蚀刻速率。