[发明专利]光源装置及发光装置在审
申请号: | 201880042770.9 | 申请日: | 2018-06-13 |
公开(公告)号: | CN110800117A | 公开(公告)日: | 2020-02-14 |
发明(设计)人: | 大沼宏彰;小野刚史;小野高志;东坂浩由;幡俊雄 | 申请(专利权)人: | 夏普株式会社 |
主分类号: | H01L33/50 | 分类号: | H01L33/50;H01L33/08;H01L33/22 |
代理公司: | 44334 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 | 代理人: | 王娟 |
地址: | 日本国大*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光出射面 驱动电路 第III族氮化物半导体 颜色转换层 发光元件 光源装置 电连接 波长 出射 转换 配置 | ||
本发明的光源装置(1)具备:驱动电路(11);发光元件(30),其具有位于与驱动电路侧相反的一侧的光出射面,并被配置于驱动电路上,与驱动电路电连接,且由第III族氮化物半导体构成;以及颜色转换层(40),其与光出射面接触,将自光出射面出射的光的波长进行转换,光出射面由第III族氮化物半导体构成。
技术领域
本发明是关于光源装置及发光装置。
背景技术
专利文献1公开了一种混色发光元件装置,其在基板上形成有发光元件被像素化的阵列,在发光元件上隔着金属层而配置了萤光体。另外,专利文献2公开了一种发光装置,其在基板上配置有发光元件,在发光元件的上表面处设有包含萤光体的透光性构件。专利文献2所公开的发光装置中,发光元件与透光性构件是通过压接、烧结或利用接着剂进行的接着等公知的方法连接。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本公开专利公报“特开2006-054470号公报(2006年2月23日公开)”
专利文献2:日本公开专利公报“特开2015-126209号公报(2015年7月6日公开)”
发明内容
本发明所要解决的技术问题
专利文献1所公开的混色发光元件装置中,有由于发光元件与萤光体之间存在金属层,因此光提取效率降低,装置整体的尺寸变大的问题。另外,金属层存在的部分的萤光体的厚度与金属层不存在的部分的萤光体的厚度不同,因此在发光元件的表面产生颜色不均。
另外,专利文献2所公开的发光装置中,发光元件与透光性构件是通过压接、烧结或利用接着剂进行的接着等公知的方法连接,因此在发光元件与透光性构件之间可设有接着层。因此,有光提取效率降低,装置整体的尺寸变大的问题。
本发明的一个方式的目的在于,使光源装置的光提取效率以及发光的均匀性提升,减小光源装置的整体的尺寸。
解决问题的方案
为了解决上述问题,本发明的一个方式的光源装置具备:驱动电路;发光元件,其具有位于与该驱动电路侧相反的一侧的光出射面,并被配置于该驱动电路上,与该驱动电路电连接,且由第III族氮化物半导体构成;以及颜色转换层,其与该光出射面接触,将自该光出射面出射的光的波长进行转换,该光出射面由第III族氮化物半导体构成。
另外,本发明的一个方式的光源装置具备:驱动电路;发光元件,其具有位于与该驱动电路侧相反的一侧的光出射面,并被配置于该驱动电路上,与该驱动电路电连接,且由第III族氮化物半导体构成;萤光体层,其与该光出射面接触,将自该光出射面出射的光的波长进行转换;以及滤光片层,其配置于该萤光体层上,该光出射面由第III族氮化物半导体构成。
进而,发明的一个方式的光源装置具备:驱动电路;多个发光元件,其具有位于与该驱动电路侧相反的一侧的光出射面,并被配置于该驱动电路上,与该驱动电路电连接,且由第III族氮化物半导体构成;多层颜色转换层,分别与该多个发光元件一对一地对应,且与所对应的该发光元件的该光出射面接触,将自所对应的该发光元件的该光出射面出射的光的波长进行转换;以及光反射层,其配置于该颜色转换层之间,该光出射面由第III族氮化物半导体构成。
发明效果
根据本发明的一个方式,可发挥如下效果:使光源装置的光提取效率以及发光的均匀性提升,缩小光源装置的整体的尺寸。
附图说明
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