[发明专利]表面安装的多层耦合电容器和包含该电容器的电路板

权利要求书

1.一种表面安装的耦合电容器，包括：

主体，其包含第一组交替的介电层和内部电极层以及第二组交替的介电层和内部电极层，

每组交替的介电层和内部电极层包含第一内部电极层和第二内部电极层，其中第一内部电极层沿纵向方向，即电容器的长度方向，与第二内部电极层间隔开，且其中内部电极层的主表面在所述纵向方向上，

每个内部电极层包括顶部边缘、与顶部边缘相背的底部边缘、以及在顶部边缘和底部边缘之间延伸的两个侧边缘，它们限定内部电极层的主体，

在第一组交替的介电层和内部电极层的侧边缘与第二组交替的介电层和内部电极层的侧边缘之间的间隔；

外部端子，其电连接到内部电极层，其中，外部端子仅形成在耦合电容器的顶表面和与耦合电容器的顶表面相背的耦合电容器的底表面上，其中顶表面包括至少一个第一极性外部端子和至少一个第二且相反极性的外部端子，并且其中底表面包括至少一个第一极性外部端子和至少一个第二且相反极性的外部端子， 其中第一组和第二组的第一内部电极层连接到顶表面上的外部端子，并且第一组和第二组的第二电极层连接到底表面上的外部端子，

其中，电容器呈现0.25 dB或更小的插入损耗。

2.根据权利要求1所述的耦合电容器，其中，插入损耗为0.1 dB或更小。

3.根据权利要求1所述的耦合电容器，其中，阻抗差为100 Ω ± 25%。

4.根据权利要求1所述的耦合电容器，其中，电容器提供100 Ω ± 5%的阻抗差。

5.根据权利要求1所述的耦合电容器，其中，电容值为1皮法至1微法。

6.根据权利要求1所述的耦合电容器，其中，第一内部电极层的至少一个横向边缘与第二内部电极层的至少一个横向边缘基本对准。

7.根据权利要求1所述的耦合电容器，其中，第一内部电极层的两个横向边缘与第二内部电极层的两个横向边缘基本对准。

8.根据权利要求1所述的耦合电容器，其中，介电层包括陶瓷。

9.根据权利要求8所述的耦合电容器，其中，陶瓷包括钛酸盐。

10.根据权利要求1所述的耦合电容器，其中，内部电极层包括导电金属。

11.根据权利要求10所述的耦合电容器，其中，导电金属包括银、金、钯、铂、铜、锡、铬、钛、钨或其组合或合金。

12.根据权利要求10所述的耦合电容器，其中，导电金属包括镍或其合金。

13.根据权利要求1所述的耦合电容器，其中，外部端子是电镀层。

14.根据权利要求1所述的耦合电容器，其中，外部端子是无电镀层。

15.根据权利要求1所述的耦合电容器，其中，外部端子包括导电金属。

16.根据权利要求15所述的耦合电容器，其中，导电金属包括银、金、钯、铂、锡、镍、铬、钛、钨或其组合或合金。

17.根据权利要求15所述的耦合电容器，其中，导电金属包括铜或其合金。

18.一种电路板，包括权利要求1所述的耦合电容器。

19.一种通信设备，包括权利要求1所述的耦合电容器。

20.根据权利要求19所述的通信设备，其中，该设备包括以太网系统、无线网络路由器、光纤通信系统、存储设备。