[发明专利]集成有金属-氧化物-金属(MOM)电容器的芯片上共面波导(CPW)传输线

权利要求书

1.一种共面波导，包括：

第一传输线，在第一互连层级处在第一接地平面与第二接地平面之间延伸；以及

在第二互连层级处的屏蔽层，所述屏蔽层包括第一组导电指，所述第一组导电指耦合到所述第一接地平面并且与耦合到所述第二接地平面的第二组导电指相互交叉，并且仅电介质层在所述第一组导电叉指与所述第二组导电叉指之间，所述第一接地平面、所述第二接地平面、所述电介质层和所述屏蔽层包括电容器。

2.根据权利要求1所述的共面波导，其中所述第一互连层级不同于所述第二互连层级。

3.根据权利要求1所述的共面波导，还包括在所述第一传输线与所述第一接地平面和所述第二接地平面中的一个接地平面之间的第二传输线。

4.根据权利要求1所述的共面波导，其中所述共面波导在芯片上或在印刷电路板(PCB)上。

5.根据权利要求1所述的共面波导，其中所述第一组导电指通过第一组过孔耦合到所述第一接地平面，并且所述第二组导电指通过第二组过孔耦合到所述第二接地平面。

6.根据权利要求1所述的共面波导，其中所述屏蔽层包括金属或多晶硅的迹线。

7.根据权利要求1所述的共面波导，其中所述电容器包括金属-氧化物-金属(MOM)电容器。

8.根据权利要求1所述的共面波导，被集成到移动电话、机顶盒、音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、计算机、手持式个人通信系统(PCS)单元、便携式数据单元和/或固定位置数据单元中。

9.一种用于制造共面波导的方法，包括：

在第一互连层级处制造在第一接地平面与第二接地平面之间延伸的第一传输线；

在第二互连层级处制造与第二组屏蔽层指状件相互交叉的第一组屏蔽层指状件，其中仅电介质层在所述第一组屏蔽层指状件与所述第二组屏蔽层指状件之间；

利用第一组过孔将所述第一组屏蔽层指状件电耦合到所述第一接地平面；以及

利用第二组过孔将所述第二组屏蔽层指状件电耦合到所述第二接地平面。

10.根据权利要求9所述的方法，还包括在所述第一传输线与所述第一接地平面和所述第二接地平面中的一个接地平面之间制造第二传输线。

11.根据权利要求9所述的方法，其中所述共面波导被集成到移动电话、机顶盒、音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、计算机、手持式个人通信系统(PCS)单元、便携式数据单元和/或固定位置数据单元中。

12.一种共面波导，包括：

第一传输装置，在第一互连层级处在第一接地平面与第二接地平面之间延伸；以及

在第二互连层级处的屏蔽层，所述屏蔽层包括第一组导电指，所述第一组导电指耦合到所述第一接地平面并且与耦合到所述第二接地平面的第二组导电指相互交叉，并且仅电介质层在所述第一组导电叉指与所述第二组导电叉指之间，所述第一接地平面、所述第二接地平面、所述电介质层和所述屏蔽层包括电容器。

13.根据权利要求12所述的共面波导，其中所述第一互连层级不同于所述第二互连层级。

14.根据权利要求12所述的共面波导，还包括在所述第一传输装置与所述第一接地平面和所述第二接地平面中的一个接地平面之间的第二传输装置。

15.根据权利要求14所述的共面波导，其中所述第一传输装置和所述第二传输装置传输差分信号。

16.根据权利要求12所述的共面波导，其中所述共面波导在芯片上或在印刷电路板(PCB)上。