[发明专利]薄膜形成用原料、薄膜的制造方法以及新型化合物在审
申请号: | 201880043465.1 | 申请日: | 2018-05-17 |
公开(公告)号: | CN110799665A | 公开(公告)日: | 2020-02-14 |
发明(设计)人: | 西田章浩;冈田奈奈;大江佳毅 | 申请(专利权)人: | 株式会社ADEKA |
主分类号: | C23C16/32 | 分类号: | C23C16/32;C07F17/00;C23C16/18;H01L21/316;C07F7/28 |
代理公司: | 11332 北京品源专利代理有限公司 | 代理人: | 吕琳;朴秀玉 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 薄膜形成 式( 1 ) 新型化合物 薄膜 烷基 卤素原子 碳原子数 生产性 仲丁基 搬运 制造 | ||
1.一种薄膜形成用原料,其含有通式(1)所示的化合物,
式中,X表示卤素原子,R表示碳原子数1~5的伯烷基或仲丁基。
2.根据权利要求1所述的薄膜形成用原料,其中,
X为氯原子或溴原子。
3.根据权利要求1或2所述的薄膜形成用原料,其中,
X为氯原子,R为碳原子数3~5的伯烷基或仲丁基。
4.根据权利要求1或2所述的薄膜形成用原料,其中,
X为溴原子,R为碳原子数2~4的伯烷基或仲丁基。
5.一种含有钛原子的薄膜的制造方法,其包括:
使权利要求1~4中任一项所述的薄膜形成用原料气化的工序;
将所得到的含有所述通式(1)所示的化合物的蒸气导入至处理气氛的工序;以及
使该化合物进行分解和/或化学反应而沉积于基体的表面的工序。
6.一种化合物,其由下述通式(2)表示,
式中,L表示碳原子数2~5的伯烷基或仲丁基。
7.根据权利要求6所述的化合物,其中,
L为乙基。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社ADEKA,未经株式会社ADEKA许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201880043465.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的