[发明专利]薄膜形成用原料、薄膜的制造方法以及新型化合物在审

专利信息
申请号: 201880043465.1 申请日: 2018-05-17
公开(公告)号: CN110799665A 公开(公告)日: 2020-02-14
发明(设计)人: 西田章浩;冈田奈奈;大江佳毅 申请(专利权)人: 株式会社ADEKA
主分类号: C23C16/32 分类号: C23C16/32;C07F17/00;C23C16/18;H01L21/316;C07F7/28
代理公司: 11332 北京品源专利代理有限公司 代理人: 吕琳;朴秀玉
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 薄膜形成 式( 1 ) 新型化合物 薄膜 烷基 卤素原子 碳原子数 生产性 仲丁基 搬运 制造
【权利要求书】:

1.一种薄膜形成用原料,其含有通式(1)所示的化合物,

式中,X表示卤素原子,R表示碳原子数1~5的伯烷基或仲丁基。

2.根据权利要求1所述的薄膜形成用原料,其中,

X为氯原子或溴原子。

3.根据权利要求1或2所述的薄膜形成用原料,其中,

X为氯原子,R为碳原子数3~5的伯烷基或仲丁基。

4.根据权利要求1或2所述的薄膜形成用原料,其中,

X为溴原子,R为碳原子数2~4的伯烷基或仲丁基。

5.一种含有钛原子的薄膜的制造方法,其包括:

使权利要求1~4中任一项所述的薄膜形成用原料气化的工序;

将所得到的含有所述通式(1)所示的化合物的蒸气导入至处理气氛的工序;以及

使该化合物进行分解和/或化学反应而沉积于基体的表面的工序。

6.一种化合物,其由下述通式(2)表示,

式中,L表示碳原子数2~5的伯烷基或仲丁基。

7.根据权利要求6所述的化合物,其中,

L为乙基。

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