[发明专利]包括多种金属氧化物的金属膜的选择性干式蚀刻有效
| 申请号： | 201880043565.4 | 申请日： | 2018-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN110832625B | 公开（公告）日： | 2023-06-20 |
| 发明（设计）人： | 杰弗里·W·安西斯;大卫·汤普森;本杰明·施密格 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/3213 | 分类号： | H01L21/3213;H01L21/311;H01L21/3065 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;赵静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 包括 多种 金属 氧化物 金属膜 选择性 蚀刻 | ||
1.一种蚀刻基板表面的方法，所述方法包括：
将包括混合金属氧化物的所述基板表面暴露于卤化剂，所述基板表面具有相对金属组成，所述卤化剂包括下述的一或多种：HF；NF3；Cl2；BCl3；经验式为SFn的化合物，其中n是2至6；或是CaHbXc，其中X是卤素，a是1至6，b是1至13，且c是1至13；及
将所述基板表面暴露于配位基转移剂以蚀刻所述基板表面，所述配位基转移剂包括MR2X或MR3中的一或多种，其中M是In、Ga、Al、或B，R是C1至C6基团，且X是卤素，
其中所述基板表面的所述相对金属组成在蚀刻之后大致相同。
2.如权利要求1所述的方法，其中所述混合金属氧化物包括铟及至少一种额外的金属。
3.如权利要求1所述的方法，其中所述混合金属氧化物包括镓及至少一种额外的金属。
4.如权利要求1所述的方法，其中所述混合金属氧化物包括锌及至少一种额外的金属。
5.如权利要求1所述的方法，其中所述混合金属氧化物包括铟、镓及锌。
6.如权利要求1所述的方法，其中所述卤化剂包括HF。
7.如权利要求1所述的方法，其中所述卤化剂包括NF3。
8.如权利要求1所述的方法，其中所述卤化剂包括经验式SFn的化合物，其中n是2至6。
9.如权利要求8所述的方法，其中所述卤化剂包括SF4。
10.如权利要求8所述的方法，其中所述卤化剂包括SF6。
11.如权利要求1所述的方法，其中在所述配位基转移剂中包括MR2X，且其中M是In、Ga、Al、或B，R是C1至C6基团，且X是卤素。
12.如权利要求1所述的方法，其中在所述配位基转移剂中包括MR3，且其中M是In、Ga、Al、或B，且R是C1至C6基团。
13.如权利要求1所述的方法，其中所述配位基转移剂包括InR2X或InR3中的一或多种，其中R是C1至C6基团，且X是卤素。
14.如权利要求1所述的方法，其中所述配位基转移剂包括GaR2X或GaR3中的一或多种，R是C1至C6基团，且X是卤素。
15.如权利要求1所述的方法，其中所述配位基转移剂包括BR2X或BR3中的一或多种，R是C1至C6基团，且X是卤素。
16.如权利要求1所述的方法，其中所述配位基转移剂包括AlR2X或AlR3中的一或多种，R是C1至C6基团，且X是卤素。
17.如权利要求16所述的方法，其中所述配位基转移剂包括Al(CH3)2Cl。
18.如权利要求16所述的方法，其中所述配位基转移剂包括Al(CH3)3。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
