[发明专利]切割电极片的设备和方法有效

专利信息
申请号: 201880043574.3 申请日: 2018-11-26
公开(公告)号: CN110832676B 公开(公告)日: 2022-09-16
发明(设计)人: 魏闰奉;朴信永;朴东赫 申请(专利权)人: 株式会社LG新能源
主分类号: H01M4/04 分类号: H01M4/04;H01M10/04;B26D5/34;B26F1/12
代理公司: 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 代理人: 徐金国
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 切割 电极 设备 方法
【权利要求书】:

1.一种切割电极片的设备,所述设备包括:

传送单元,所述传送单元将在侧表面形成有多个凹口槽的电极片经由测量点一直传送至切割点,使得当形成在所述电极片中的这些凹口槽之中的、设置在前端的凹口槽经过所述切割点时,设置在所述前端的凹口槽的后端的凹口槽经过所述测量点;

检测单元,所述检测单元设置在所述测量点处,以检测经过所述测量点的所述电极片的凹口槽,从而产生凹口槽检测信号;和

切割单元,所述切割单元设置在所述切割点处,以根据由所述检测单元产生的所述凹口槽检测信号来切割其中设置有经过所述切割点的凹口槽的电极片,

其中所述检测单元包括线传感器,所述线传感器安装在与所述电极片的传送方向垂直的方向上,以检测经过所述测量点的所述电极片的凹口槽,从而产生所述凹口槽检测信号,

其中所述线传感器包括多个光接收元件,并且

所述多个光接收元件通过当所述电极片的凹口槽经过所述测量点时发生的透过率的变化来检测凹口槽,

其中所述凹口槽包括彼此面对分别形成在所述电极片的两个侧表面的第一凹口槽和第二凹口槽,并且

所述线传感器包括第一线传感器和第二线传感器,以检测所述第一凹口槽和所述第二凹口槽。

2.根据权利要求1所述的设备,其中即使通过所述第一线传感器和所述第二线传感器检测到所述第一凹口槽和所述第二凹口槽中的任意一个凹口槽,所述线传感器也产生所述凹口槽检测信号。

3.根据权利要求1所述的设备,其中,当通过所述第一线传感器和所述第二线传感器检测到所述第一凹口槽和所述第二凹口槽两者时,所述线传感器根据检测到所述第一凹口槽的时间点和检测到所述第二凹口槽的时间点的平均值来产生所述凹口槽检测信号。

4.根据权利要求1所述的设备,其中,当通过所述第一线传感器和所述第二线传感器均未检测到所述第一凹口槽和所述第二凹口槽时,所述线传感器产生凹口槽缺陷信号。

5.根据权利要求1所述的设备,其中在所述电极片的形成有所述第一凹口槽的一个侧表面上设置有电极接片,并且

检测所述第一凹口槽的所述第一线传感器还通过当所述电极接片经过时发生的透过率的变化来检测所述电极接片是否有缺陷。

6.根据权利要求1所述的设备,其中所述检测单元安装在所述测量点处,并且

所述设备进一步包括调节单元,所述调节单元被安装成在与所述电极片的传送方向垂直的方向上是可移动的,使得所述检测单元的位置被调节成与经过所述测量点的凹口槽对应。

7.一种使用根据权利要求1至6任一项所述的设备切割电极片的方法,所述方法包括:

步骤(a),利用传送单元将在侧表面形成有多个凹口槽的电极片经由测量点一直连续传送至切割点,使得当形成在所述电极片中的这些凹口槽之中的、设置在前端的凹口槽经过所述切割点时,设置在所述前端的凹口槽的后端的凹口槽经过所述测量点;

步骤(b),检测经过所述测量点的所述电极片的凹口槽,从而产生凹口槽检测信号;和

步骤(c),当产生所述凹口槽检测信号时,利用切割单元切割其中设置有经过所述切割点的凹口槽的电极片,以制造单元电极。

8.根据权利要求7所述的方法,其中所述步骤(b)进一步包括以下步骤:利用检测单元,通过当设置在所述电极片的一个侧表面上的电极接片经过时发生的透过率的变化来检测所述电极接片是否有缺陷。

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