[发明专利]用于除去晶体材料表面的非晶钝化层的化学清洁组合物

权利要求书

1.适合于从基底(1A，1B，4)上除去钝化层(2)的清洁化学组合物，所述钝化层(2)包括由所述基底(1A，1B，4)的刻蚀产生的刻蚀残留物，其特征在于，所述清洁化学组合物包括：

-弱酸，所述弱酸包括乙酸，相对于化学组合物的重量，弱酸的含量在20重量％和95重量％之间，优选在50重量％和80重量％之间，

-非氧化性强酸，所述非氧化性强酸包括甲磺酸，相对于化学组合物的重量，非氧化性强酸的含量在5重量％和50重量％之间，优选在15重量％和50重量％之间，

-氢氟酸，相对于化学组合物的重量，氢氟酸的含量在0.2重量％和2重量％之间，

-水，相对于化学组合物的重量，水的含量在2重量％和20重量％之间。

2.根据权利要求1所述的化学组合物，其中，所述强酸还包括盐酸。

3.从基底(1A，1B，4)上除去钝化层(2)的清洁方法，所述钝化层(2)包括由所述基底(1A，1B，4)的刻蚀产生的刻蚀残留物，其特征在于，所述方法包括以下步骤：

-提供根据前述权利要求中任一项所述的清洁化学组合物，

-使所述清洁化学组合物与钝化层(2)接触足够的时间，以从基底(1A，1B，4)上除去所述钝化层(2)。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述清洁化学组合物由浓度在60重量％和80重量％之间的甲磺酸制备。

5.根据权利要求3所述的方法，其中，所述清洁化学组合物由浓度在30重量％和40重量％之间的盐酸制备。

6.根据权利要求3至5中任一项所述的方法，在接触步骤之前，所述方法包括对基底(1A，1B，4)的一层或叠层进行等离子体刻蚀步骤，其中由等离子体离子与基底(1A，1B，4)的一层或叠层的至少一层的相互作用产生钝化层(2)。

7.根据权利要求3至6中任一项所述的方法，其中，在与钝化层(2)的接触期间，所述化学组合物的温度在20℃和40℃之间，优选在20℃和30℃之间。

8.根据权利要求3至7中任一项所述的方法，其中，所述钝化层(2)包括以下化学元素中的一种或多种：钽、铪、锆。

9.根据权利要求6所述的方法，其中，所述基底(1A，1B，4)的已刻蚀层或已刻蚀叠层的组成材料选自以下材料的一种或多种：金属、金属氧化物、半导体材料、半导体材料的氧化物。

10.根据权利要求6所述的方法，其中，所述基底(1A，1B，4)的已刻蚀层或已刻蚀叠层的组成材料包括铝和/或铜。