[发明专利]半导体器件的制造方法、衬底处理装置及程序

权利要求书

1.半导体器件的制造方法，其具有通过使包含下述工序的循环进行规定次数，从而对在衬底的表面形成的膜的一部分进行蚀刻的工序：

在将表面形成有膜的衬底收容在处理室内的状态下，一边使所述处理室内的压力上升、一边向所述处理室内供给蚀刻气体的工序；和

在停止向所述处理室内的所述蚀刻气体的供给的状态下，通过对所述处理室内进行排气来使所述处理室内的压力下降的工序。

2.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，使得使所述处理室内的压力下降的工序中的单位时间的压力变化量大于供给所述蚀刻气体的工序中的单位时间的压力变化量。

3.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，使得使所述处理室内的压力下降的工序的实施时间比供给所述蚀刻气体的工序的实施时间短。

4.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，在对所述膜的一部分进行蚀刻的工序中，

不实施一边将所述处理室内的压力维持为恒定压力一边向所述处理室内供给所述蚀刻气体的工序，或者，

在实施一边将所述处理室内的压力维持为恒定压力一边向所述处理室内供给所述蚀刻气体的工序的情况下，将其实施时间设为直到所述衬底的中央部处的所述膜的蚀刻速率变为大于所述衬底的周缘部处的所述膜的蚀刻速率前的时间。

5.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，在对所述膜的一部分进行蚀刻的工序中，不实施一边使所述处理室内的压力降低一边向所述处理室内供给所述蚀刻气体的工序。

6.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，在对所述膜的一部分进行蚀刻的工序中，在向所述处理室内供给所述蚀刻气体的期间，使所述膜的蚀刻速率持续上升。

7.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，所述循环还包含以含氢气体对所述处理室内进行吹扫的工序。

8.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，在对所述膜的一部分进行蚀刻的工序中，使所述循环重复多次。

9.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，在实施对所述膜的一部分进行蚀刻的工序前，还具有以将在所述衬底的表面设置的凹部内埋入的方式形成所述膜的工序。

10.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，在实施了对所述膜的一部分进行蚀刻的工序后，还具有在一部分被蚀刻了的所述膜上进一步形成膜的工序。

11.根据权利要求10所述的半导体器件的制造方法，其中，在同一所述处理室内进行形成所述膜的工序、对所述膜的一部分进行蚀刻的工序及所述进一步形成膜的工序。

12.根据权利要求10所述的半导体器件的制造方法，其中，在同一温度下进行形成所述膜的工序、对所述膜的一部分进行蚀刻的工序及所述进一步形成膜的工序。

13.根据权利要求10所述的半导体器件的制造方法，其中，在所述膜的结晶化温度以下的温度下进行形成所述膜的工序、对所述膜的一部分进行蚀刻的工序及所述进一步形成膜的工序。

14.根据权利要求11所述的半导体器件的制造方法，其中，使对所述膜的一部分进行蚀刻的工序中的最大处理室内压力比形成所述膜的工序及所述进一步形成膜的工序各自的最大处理室内压力大。

15.根据权利要求10所述的半导体器件的制造方法，其中，在形成所述膜的工序及所述进一步形成膜的工序中，作为所述膜形成非掺杂硅膜。