[发明专利]半导体激光装置有效
| 申请号： | 201880044051.0 | 申请日： | 2018-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN110809841B | 公开（公告）日： | 2021-04-16 |
| 发明（设计）人： | 大森弘治;津村康树;笠井辉明 | 申请（专利权）人： | 松下知识产权经营株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/024 | 分类号： | H01S5/024;H01L23/36 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 韩丁 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 激光 装置 | ||
1.一种半导体激光装置，具备：
第1散热部件，在内部相互独立地设置有制冷剂流过的第1流路与第2流路；
第2散热部件，与该第1散热部件的上表面接触设置，包含在内部具有与所述第1流路连通的第3流路的绝缘部件；
下部电极块，被设置于该第2散热部件的上表面的一部分；
辅助支架，被设置于所述第2散热部件的上表面的剩余部分，包含与该下部电极块电连接的导电材料；
半导体激光元件，被配设于该辅助支架的上表面，与所述辅助支架以及所述下部电极块电连接；和
上部电极块，被设置为与所述第2散热部件夹着所述辅助支架以及所述半导体激光元件，与所述半导体激光元件电连接，另一方面，通过可导热的绝缘层而与所述下部电极块电绝缘，
所述第2流路被设置于所述下部电极块的配设区域的下方。
2.根据权利要求1所述的半导体激光装置，其中，
所述第3流路被设置于所述辅助支架的配设区域的下方。
3.根据权利要求1或者2所述的半导体激光装置，其中，
所述下部电极块具有沿着所述第2散热部件的侧面延伸并与所述第1散热部件的上表面相接的延长部。
4.根据权利要求1或者2所述的半导体激光装置，其中，
所述第1流路以及所述第2流路分别具有与所述第1散热部件的上表面大致平行地延伸的平行部，
所述第2流路的平行部被设置于比所述第1流路的平行部更靠近所述第2散热部件的一侧。
5.根据权利要求1或者2所述的半导体激光装置，其中，
在所述第2散热部件的绝缘部件的内部，与所述第2流路连通的第4流路被与所述第3流路独立地设置。
6.根据权利要求5所述的半导体激光装置，其中，
所述第4流路被设置于所述下部电极块的配设区域的下方。
7.根据权利要求1或者2所述的半导体激光装置，其中，
所述第1散热部件是将设置有所述第1流路以及所述第2流路的一部分的多个部件层叠而成的。
8.根据权利要求1或者2所述的半导体激光装置，其中，
所述第2散热部件是将设置有所述第3流路的一部分的多个部件层叠而成的。
9.根据权利要求1或者2所述的半导体激光装置，其中，
所述绝缘部件以及所述绝缘层的热传导率比所述半导体激光元件高。
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