[发明专利]光学接近感测电路和用于光学接近感测的方法在审
申请号: | 201880044155.1 | 申请日: | 2018-07-05 |
公开(公告)号: | CN110832344A | 公开(公告)日: | 2020-02-21 |
发明(设计)人: | 扬·埃嫩克尔 | 申请(专利权)人: | AMS有限公司 |
主分类号: | G01S17/02 | 分类号: | G01S17/02;G01S7/481 |
代理公司: | 北京柏杉松知识产权代理事务所(普通合伙) 11413 | 代理人: | 邰凤珠;刘继富 |
地址: | 奥地利普*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光学 接近 电路 用于 方法 | ||
1.一种光学接近感测电路(1),包括:
-光学发射装置(10),其准备发送具有不可见光谱的波长的信号(S1),
-光转换材料(11),其准备将反射信号(S2)转换成可检测信号(S3),所述反射信号(S2)取决于信号(S1)从人类用户(20)的反射,并且可检测信号(S3)具有可见光谱的波长,以及
-光学接收装置(12),其与光学发射装置(10)间隔开布置,但是在光学发射装置的可视范围内,并且准备检测可检测信号(S3),由此提供测量信号,所述测量信号取决于光学接近感测电路和人类用户(20)之间的距离,
其中,转换材料(11)安装到光学接收装置(12),并且
其中,信号(S1)、反射信号(S2)和可检测信号(S3)中的每个是光学信号。
2.根据权利要求1所述的光学接近感测电路(1),
其中所述光转换材料(11)包括受激反斯托克斯拉曼散射材料。
3.根据权利要求1或2所述的光学接近感测电路(1),
其中所述光学发射装置(10)包括至少一个发光二极管,所述至少一个发光二极管准备发射波长为约1200nm的光作为信号(S1),或
其中所述光学发射装置(10)包括垂直腔面发射激光器,所述垂直腔面发射激光器准备发射波长为约1500nm的光作为信号(S1)。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的光学接近感测电路(1),
其中所述光学接收装置(12)包括对于300nm至1100nm范围中的光敏感的至少一个光电二极管。
5.根据权利要求4所述的光学接近感测电路(1),
其中所述光电二极管实现为硅光电二极管,所述硅光电二极管掺杂有上转换材料,所述上转换材料表示转换材料(11)。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的光学接近感测电路(1),
还包括安装在光学发射装置(10)和光学接收装置(12)之间的光学屏障(13)。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的光学接近感测电路(1),还包括:
第一滤波器(131),其安装在转换材料(11)和光学接收装置(12)之间,并且准备透射波长为约950nm的光,和/或
第二滤波器(132),其安装到转换材料(11),使得反射信号(S2)在到达转换材料(11)之前穿过第二滤波器(132),所述第二滤波器(132)准备透射波长为1400nm至1500nm的光。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的光学接近感测电路(1),还包括:
第一光学透镜(151),其安装到光学发射装置(10),并且表示用于信号(S1)的光束成形单元,和/或
第二光学透镜(152),其安装到转换材料(11),并且表示用于反射信号(S2)的光束成形单元。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的光学接近感测电路(1),
其中所述光转换材料(11)是半透明的,
其中所述光学接收装置(12)相对于光转换材料(11)布置,使得反射信号(S2)穿过光转换材料(11)以到达光学接收装置(12),并且
其中所述光学接近感测电路(1)还包括阻挡层(14),所述阻挡层覆盖光学接收装置(12)的表面和光学发射装置(10)的表面,并且准备阻止可检测信号(S3)离开光学接近感测电路。
10.根据权利要求1至8中任一项所述的光学接近感测电路(1),
其中所述光转换材料(11)是反射性的,并且其中所述光学接收装置(12)相对于转换材料(11)布置,使得反射信号(S2)穿过光学接收装置(12)以到达转换材料(11)。
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