[发明专利]成像装置以及成像装置的制造方法在审
申请号: | 201880044548.2 | 申请日: | 2018-06-22 |
公开(公告)号: | CN110870071A | 公开(公告)日: | 2020-03-06 |
发明(设计)人: | 井上启司;神田英一朗 | 申请(专利权)人: | 索尼半导体解决方案公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L21/3205;H01L21/60;H01L21/768;H01L23/522;H04N5/374 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 王新春;曹正建 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 成像 装置 以及 制造 方法 | ||
1.一种成像装置,包括:
半导体基板,在其上形成有配置成生成与照射光相对应的图像信号的光电转换部;
布线部,其配置成在所述半导体基板的与被照射所述光的光接收表面不同的表面上具有彼此堆叠的绝缘层和布线层,所述布线层传输所生成的图像信号;和
信号传输部,其配置成在形成在所述半导体基板的与所述光接收表面不同的表面上的凹部与所述布线部之间形成,所述信号传输部进一步地部分布置在所述凹部中,并且进一步地通过从所述半导体基板的所述光接收表面朝向所述凹部形成的开口传输由所述布线层传输的图像信号。
2.根据权利要求1所述的成像装置,进一步地包括:
入射光传输部,其配置成与所述光接收表面相邻布置并且将所述照射光传输到所述光电转换部,其中
所述信号传输部通过在制造所述入射光传输部之后形成的所述开口传输所述图像信号。
3.根据权利要求1所述的成像装置,其中
所述信号传输部由焊盘构成。
4.根据权利要求1所述的成像装置,进一步地包括:
过孔插塞,其配置成布置在所述布线层和所述信号传输部之间并且传输所述图像信号。
5.根据权利要求1所述的成像装置,进一步地包括:
第二半导体基板,在其上形成有配置成处理由所述布线层传输的图像信号的处理电路;
第二布线部,其配置成在所述第二半导体基板上具有彼此堆叠的第二绝缘层和第二布线层,所述第二布线层传输处理后的图像信号;和
第二信号传输部,其配置成将由所述第二布线层传输的处理后的图像信号传输到所述信号传输部,其中
所述信号传输部传输由所述处理电路处理并且由所述第二信号传输部传输的图像信号。
6.根据权利要求5所述的成像装置,其中
所述第二信号传输部由布置在所述布线部中的焊盘和布置在所述第二布线部中的焊盘构成。
7.根据权利要求5所述的成像装置,其中
所述第二信号传输部由以穿透所述布线部和所述半导体基板的方式布置的过孔插塞构成。
8.一种成像装置的制造方法,所述方法包括以下步骤:
形成信号传输部的步骤,其中在形成在半导体基板的与光接收表面不同的表面上的凹部中部分地形成信号传输部,在所述半导体基板的所述光接收表面上形成有用于生成与照射到所述光接收表面的光相对应的图像信号的光电转换部,所述信号传输部配置成传输所述图像信号;
形成布线部的步骤,其中使得布线层与所述半导体基板的与所述光接收表面不同的表面相邻并且与所述信号传输部相邻,所述布线层配置成将由所述光电转换部生成的图像信号传输到所述信号传输部;以及
形成开口的步骤,其中从所述半导体基板的所述光接收表面朝向所述凹部形成开口,所述开口配置成允许传输来自所述信号传输部的信号。
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H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的