[发明专利]有机发光元件在审
| 申请号： | 201880044580.0 | 申请日： | 2018-07-06 |
| 公开（公告）号： | CN110870088A | 公开（公告）日： | 2020-03-06 |
| 发明（设计）人： | 松岛敏则;安达千波矢;秦川江;S·D·A·桑达纳亚卡;F·本切克;小蓑刚 | 申请（专利权）人： | 九州有机光材股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/50 | 分类号： | H01L51/50 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 沈娥;褚瑶杨 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 有机 发光 元件 | ||
1.一种有机发光元件，其具有厚度为50nm以上的钙钛矿层。
2.根据权利要求1所述的有机发光元件，其中，
所述钙钛矿层的载流子迁移率为10-2～103cm2V-1s-1。
3.根据权利要求1或2所述的有机发光元件，其还具有发光层。
4.根据权利要求3所述的有机发光元件，其具有至少2层所述钙钛矿层，并且具有在2层所述钙钛矿层之间夹入所述发光层的结构。
5.根据权利要求3或4所述的有机发光元件，其中，
所述钙钛矿层在所述发光层的发光波长区域中不具有200～2000nm处的最大吸收波长。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的有机发光元件，其中，
所述钙钛矿层含有由下述通式(4)表示的钙钛矿型化合物，
A3BX3 (4)
通式(4)中，A3表示有机阳离子，B表示2价的金属离子，X表示卤离子，3个X彼此可以相同也可以不同。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的有机发光元件，其中，
所述钙钛矿层为蒸镀膜。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的有机发光元件，其中，
所述钙钛矿层的厚度为50～10000nm。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的有机发光元件，其为有机电致发光元件。
10.根据权利要求9所述的有机发光元件，其具有：
阳极与阴极；设置于所述阳极与所述阴极之间的发光层；设置于所述阳极与所述发光层之间的第1钙钛矿层；及设置于所述阴极与所述发光层之间的第2钙钛矿层，
所述第1钙钛矿层及所述第2钙钛矿层为所述厚度为50nm以上的钙钛矿层。
11.根据权利要求10所述的有机发光元件，其还具有：
设置于所述阳极与所述第1钙钛矿层之间的空穴注入层；及设置于所述阴极与所述第2钙钛矿层之间的电子注入层。
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